【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺，首先形成第一层牺牲层，然后沉积并刻蚀形成第二层牺牲层，其图形与所需电极引线互补；然后去除第一层牺牲层，之后溅射金属层。最后去除第二层牺牲层，得到所需金属电极引线图形。本专利技术的方法不受光刻胶限制，可获得大规模非制冷红外探测器所需的极细电极引线图形。同时，该方法不存在湿法刻蚀工艺中对图形的过刻，从而可以保证图形边缘的整齐。此外，该方法避免了使用昂贵的CMP工艺。【专利说明】—种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺
本专利技术属于非制冷红外焦平面探测器领域，具体涉及一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺。
技术介绍
非制冷红外焦平面探测器通过将目标的热辐射转换为电信号而实现对目标的被动成像，其具有体积小、重量轻、成本相对较低等优点，因此在军事及民用领域得到日益广泛的应用。尤其在军事领域，因其抗干扰能力强、隐蔽性好，在跟踪、制导、火控等方面都得到较好的应用。作为敏感元的微桥阵列是非制冷红焦平面外探测器的核心部分，其作用是将热辐射转换为敏感材料的电信号。为了提高...
【技术保护点】
一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺，其特征在于，首先形成第一层牺牲层，然后沉积并刻蚀形成第二层牺牲层，其图形与所需电极引线互补；然后去除第一层牺牲层，之后溅射金属层，最后去除第二层牺牲层，得到所需金属电极引线图形。
【技术特征摘要】
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