一种非制冷宽波段红外探测器制造技术

技术编号:14271946 阅读:118 留言:0更新日期:2016-12-23 16:28
本实用新型专利技术公开了一种非制冷宽波段红外探测器,其单元器件包括硅基底、支撑层、金属电极、宽波段红外吸收层、热敏感层及悬空孔;热敏感层置于宽波段红外吸收层上方或下方的中间;金属电极置于热敏感层的两旁、宽波段红外吸收层两端的上方;支撑层置于硅基底上方,悬空孔置于硅基底和支撑层的中间,并穿透了硅基底和支撑层,宽波段红外吸收层和热敏感层均置于支撑层上方且完全覆盖支撑层中间的悬空孔的上端开口。本实用新型专利技术的宽波段红外吸收层和热敏感层共同组成红外敏感层,并结合悬空结构,可极大提高探测器的性能。解决了现有非制冷宽波段红外探测器工艺复杂、红外吸收波段窄、红外吸收率低等问题,实现非制冷宽波段、低成本、高灵敏度红外探测。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于光电领域,涉及一种非制冷宽波段红外探测器。
技术介绍
红外探测器是现代国防军事的重要技术,方便官兵在夜晚、烟雾、雾天中的观察作战。目前广泛应用的红外探测器技术包括制冷和非制冷两类,其中制冷型红外成像由于需要复杂的制冷设备,而导致系统笨重,不易于单兵作战。非制冷红外成像技术起步较晚,但是发展迅速,其中以氧化钒为敏感单元的非制冷红外探测器技术已广泛应用于国防军事领域。但是,氧化钒自身的吸光性能较差,需要借助氮化硅等红外吸收材料以及复杂的光学腔体结构。此外,传统的非制冷宽波段红外探测器的探测波段单一(8~14μm),不能实现宽波段(3~14μm)。现有非制冷宽波段红外探测器结构复杂、工艺复杂、红外吸收波段窄、红外吸收率低,尤其在3~5μm波段的非制冷红外探测技术发展缓慢。其中,宽波段红外吸收材料是关键。因此,必须针对基于石墨烯的微测辐射热计,必须设计工艺简单、合理的器件结构,实现宽波段非制冷红外探测。
技术实现思路
本技术的目的就是为了克服上述
技术介绍
的不足,提供一种非制冷宽波段红外探测器,采用背面刻蚀工艺制作的通孔作为悬空孔,优化红外吸收材料与热敏弹性体的材料、结构与位置,实现低成本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非制冷宽波段红外探测器,其特征在于,其单元器件包括硅基底(101)、支撑层(102)、金属电极(103)、宽波段红外吸收层(104)、热敏感层(105)以及悬空孔(106);宽波段红外吸收层(104)置于热敏感层(105)上方或者下方,且热敏感层(105)位于宽波段红外吸收层(104)的中间并与其相接触;金属电极(103)置于热敏感层(105)的两旁、宽波段红外吸收层(104)两端的上方,并与宽波段红外吸收层(104)相接触;支撑层(102)置于硅基底(101)上方,悬空孔(106)置于硅基底(101)和支撑层(102)的中间,并且穿透了硅基底(101)和支撑层(102),宽波段红外吸收层...

【技术特征摘要】
1.一种非制冷宽波段红外探测器,其特征在于,其单元器件包括硅基底(101)、支撑层(102)、金属电极(103)、宽波段红外吸收层(104)、热敏感层(105)以及悬空孔(106);宽波段红外吸收层(104)置于热敏感层(105)上方或者下方,且热敏感层(105)位于宽波段红外吸收层(104)的中间并与其相接触;金属电极(103)置于热敏感层(105)的两旁、宽波段红外吸收层(104)两端的上方,并与宽波段红外吸收层(104)相接触;支撑层(102)置于硅基底(101)上方,悬空孔(106)置于硅基底(101)和支撑层(102)的中间,并且穿透了硅基底(101)和支撑层(102),宽波段红外吸收层(104)和热敏感层(105)均置于支撑层(102)上方且完全覆盖了支撑层(102)中间的悬空孔(106)的上端开口;宽波段红外吸收层(104)采用三维碳纳米材料,同时作为导电层,热敏感层(105)采用热敏弹性体;宽波段红外吸收层(104)和热敏感层(105)共同组成红外敏感层;宽波段红外吸收层(104)厚度为5nm~2μm;悬空孔(106)的上端开口大小为5μm×5μm~500μm×500μm;支撑层...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨俊魏兴战汤林龙史浩飞杜春雷
申请(专利权)人:中国科学院重庆绿色智能技术研究院
类型:新型
国别省市:重庆;50

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