发光二极管管芯及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种发光二极管管芯及其制造方法。发光二极管管芯包括基板、半导体外延堆叠层、第一电极、第二电极及分支电极组。半导体外延堆叠层形成于基板上。第一电极及第二电极沿第一方向延伸形成于半导体外延堆叠层上。分支电极组包括第一分支电极及第二分支电极，其中第一分支电极沿垂直于第一方向的第二方向，自第一电极朝第二电极延伸，而第二分支电极沿垂直于第一方向的第三方向，自第二电极朝第一电极延伸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，且特别是涉及一种具有尺寸设计弹性的。
技术介绍
传统发光二极管管芯形成方法中，半导体外延堆叠层形成于基板后，进行一切割制作工艺，以获得数个发光二极管管芯。然而，现行业界对于发光二极管管芯的尺寸规划是单一尺寸规划，导致切割制作工艺后所获得数个发光二极管管芯的尺寸都相同，相当没有设计弹性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，在切割制作工艺中，可获得不同尺寸的发光二极管管芯。为达上述目的,根据本专利技术的一实施例,提出一种发光二极管管芯。发光二极管管芯包括一基板、一第一型半导体外延层、一发光层、一第二型半导体外延层、一第一电极、一第二电极及一分支电极组。第一型半导体外延层、发光层及第二型半导体外延层依序堆叠于基板上，而构成一半导体外延堆叠层，且裸露部分第一型半导体外延层。第一电极沿一第一方向延伸形成于裸露的第一型半导体外延层上。第二电极沿第一方向延伸形成于第二型半导体外延层上。分支电极组包括一第一分支电极及一第二分支电极。第一分支电极沿垂直于第一方向的第二方向，自第一电极朝第二电极延伸。第二分支电极沿垂直于第一方向的第三方向，自第二电极朝第一电极延伸。根据本专利技术的另一实施例，提出一种发光二极管管芯的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一基板；依序形成一第一型半导体外延层、一发光层以及一第二型半导体外延层于基板上，构成一半导体外延堆叠层，且有部分第一型半导体外延层裸露；沿一第四方向形成数道裂片狭缝于半导体外延堆叠层上；形成一绝缘层于该裂片狭缝内；形成一第一电极、一第二电极及数个分支电极组于半导体外延堆叠层上，其中第一电极沿一第一方向延伸形成于裸露的第一型半导体外延层上，第二电极沿一第一方向延伸形成于第二型半导体外延层上，而各分支电极组均包括一第一分支电极及一第二分支电极，且第一分支电极沿垂直于第一方向的第二方向，自第一电极朝第二电极延伸，而形成于裸露的第一型半导体外延层上，而第二分支电极则沿垂直于该第一方向的第三方向，自该第二电极朝第一电极延伸，而形成于第二型半导体外延层上，其中各分支电极组分别位在裂片狭缝的二侧，且第四方向平行于第二及第三方向，其中第一电极及第二电极经过绝缘层；以及，根据所需要的发光二极管管芯的尺寸，沿部分该些裂片狭缝施以一裂片制作工艺，以获得个别的发光二极管管芯。根据本专利技术的另一实施例，提出一种发光二极管管芯的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一基板；依序形成一第一型半导体外延层、一发光层以及一第二型半导体外延层于基板上，构成一半导体外延堆叠层，且有部分第一型半导体外延层裸露；沿一第四方向形成数道裂片界面于半导体外延堆叠层内部；形成一第一电极、一第二电极及数个分支电极组于该半导体外延堆叠层上，其中第一电极沿一第一方向延伸形成于裸露的第一型半导体外延层上，第二电极沿一第一方向延伸形成于第二型半导体外延层上，而各分支电极组均包括一第一分支电极及一第二分支电极，且第一分支电极沿垂直于第一方向的第二方向，自第一电极朝第二电极延伸，而形成于裸露的第一型半导体外延层上，而第二分支电极则沿垂直于第一方向的第三方向，自第二电极朝第一电极延伸，而形成于第二型半导体外延层上，其中相邻二分支电极组分别位在裂片界面的二侧，且第四方向平行于第二、第三方向；以及，根据所需要的发光二极管管芯的尺寸，沿部分该些裂片界面施以一裂片制作工艺，以获得个别的发光二极管管芯。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下:【附图说明】图1A为本专利技术一实施例的发光二极管管芯的剖视图；图1B为图1A的俯视图；图2A为本专利技术另一实施例的发光二极管管芯的俯视图；图2B为图2A中沿方向2B-2B’的剖视图；图3A为本专利技术另一实施例的发光二极管管芯的俯视图；图3B为图3A中沿方向3B-3B’的剖视图；图4为本专利技术另一实施例的发光二极管管芯的俯视图；图5为本专利技术另一实施例的发光二极管管芯的俯视图；图6A至图6D为本专利技术一实施例的发光二极管管芯的制造过程图；图7为本专利技术另一实施例的发光二极管管芯的制造过程图；图8A至图8D为本专利技术另一实施例的发光二极管管芯的制造过程图。主要元件符号说明100、200、300、400、500:发光二极管管芯110:基板IlOsl:第一边界侧面110s2:第二边界侧面110s3:第三边界侧面110s4:第四边界侧面120:半导体外延堆叠层121:第一型半导体外延层122:发光层123:第二型半导体外延层130:第一电极140:第二电极150、450、550:分支电极组151:第一分支电极152:第二分支电极260:裂片参考记号270:裂片界面380:裂片狭缝390:绝缘层Dl:第一方向D2:第二方向D3:第三方向D4:第四方向【具体实施方式】请参照图1A，其绘示依照本专利技术一实施例的发光二极管管芯的剖视图。发光二极管管芯100包括基板110、半导体外延堆叠层120、第一电极130、第二电极140及分支电极组150。基板110例如是娃基板、氣化嫁基板、碳化娃基板、监宝石基板或以上述基板再进行图形化等加工的基板，但并不以此为限。半导体外延堆叠层120包括第一型半导体外延层121、发光层122及第二型半导体外延层123，其依序堆叠于基板110上且裸露部分第一型半导体外延层121。第一型半导体外延层121为P型而第二型半导体外延层123为N型，或第一型半导体外延层121为N型而第二型半导体外延层123为P型。P型半导体层例如是掺杂镁(Mg)、硼(B)、铟(In)、镓(Ga)或铝(Al)等元素的氮基半导体层，而N型半导体层例如是掺杂硅(Si)、磷(P)、锑(Ti)、砷(As)等元素的氮基半导体层。发光层122可以是三五族二元素化合物半导体(例如是砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、氮化镓(GaN))、三五族多元素化合物半导体(例如是砷化铝镓(AlGaAs)、磷砷化镓(GaAsP)、磷化铝镓铟(AlGaInP)、砷化铝铟镓(AlInGaAs))或二六族二元素化合物半导体(例如是硒化镉(CdSe)、硫化镉(CdS)、硒化锌(ZnSe))。请参照图1B，其绘示图1A的俯视图，其中图1A是图1B中沿方向1A-1A，的剖视图。第一电极130沿第一方向Dl延伸形成于裸露的第一型半导体外延层121上。本例中，第一电极130从发光二极管管芯100的第一边界侧面IlOsl延伸至第二边界侧面110s2，其中第一边界侧面IlOsl相对于第二边界侧面110s2。第二电极140沿第一方向Dl延伸形成于第二型半导体外延层123 (图1A)上。本例中，第二电极140从发光二极管管芯100的第一边界侧面IlOsl延伸至第二边界侧面110s2。分支电极组150包括第一分支电极151及第二分支电极152，其中第一分支电极151沿垂直于第一方向Dl的第二方向D2,自第一电极130朝第二电极140延伸，而第二分支电极152沿垂直于第一方向Dl的第三方向D3,自第二电极140朝第一电极130延伸,其中第二方向D2与第三方向D3实质上平行且方向相反。请参照图2A，其绘示依照本专利技术另一实施例的发光二极管管芯的俯视图。发光二极管管芯200包括基板110、半导体外延堆叠层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管管芯，包括：基板；第一型半导体外延层、发光层及第二型半导体外延层，依序堆叠于该基板上，而构成一半导体外延堆叠层，且裸露部分该第一型半导体外延层；第一电极，沿一第一方向延伸形成于该裸露的第一型半导体外延层上；第二电极，沿该第一方向延伸形成于该第二型外延半导体层上；以及分支电极组，包括：第一分支电极，沿垂直于该第一方向的第二方向，自该第一电极朝该第二电极延伸；以及第二分支电极，沿垂直于该第一方向的第三方向，自该第二电极朝该第一电极延伸。

【技术特征摘要】
2012.08.06 TW 1011282971.一种发光二极管管芯，包括: 基板； 第一型半导体外延层、发光层及第二型半导体外延层，依序堆叠于该基板上，而构成一半导体外延堆叠层，且裸露部分该第一型半导体外延层； 第一电极，沿一第一方向延伸形成于该裸露的第一型半导体外延层上； 第二电极，沿该第一方向延伸形成于该第二型外延半导体层上；以及 分支电极组，包括: 第一分支电极，沿垂直于该第一方向的第二方向，自该第一电极朝该第二电极延伸；以及 第二分支电极，沿垂直于该第一方向的第三方向，自该第二电极朝该第一电极延伸。2.如权利要求1所述的发光二极管管芯，包括两个该分支电极组，该两个分支电极组相对称。3.如权利要求1所述的发光二极管管芯，其中该分支电极组包括两个该第二分支电极，且该第一分支电极延伸至该两个第二分支电极之间。4.如权利要求1所述的发光二极管管芯，其中该分支电极组包括两个该第一分支电极及两个该第二分支电极，该两个第一分支电极之一者延伸至该两个第二分支电极之间，该两个第二分支电极之一者延伸至该两个第一分支电极之间。5.如权利要求2所述的发光二极管管芯，其中该半导体外延堆叠层还包括多道裂片狭缝或裂片界面。6.如权利要求5所述的发光二极管管芯，其中该裂片狭缝位于该两个分支电极组之间的该半导体外延堆叠层表面，且在该裂片狭缝与该第一、第二电极交界处具有绝缘层，以隔离该第一、第二电极与该裂片狭缝。7.如权利要求6所述的发光二极管管芯，其中该裂片狭缝是刀具切割所形成。8.如权利要求5所述的发光二极管管芯，其中该裂片界面位于该两个分支电极组之间的该半导体外延堆叠层内部。9.如权利要求8所述的发光二极管管芯，其中该裂片界面是激光制作工艺所完成。10.如权利要求1至9中任一项所述的发光二极管管芯，其中该第一型半导体外延层为P型，而该第二型半导体外延层为N型，或该第一型半导体外延层为N型而该第二型半导体外延层为P型。11.如权利要求1所述的发光二极管管芯，还包括一裂片参考记号，形成于该半导体外延堆叠层上。12.一种发光二极管管芯的制造方法，包括: 提供一基板； 依序形成一第一型半导体外延层、一发光层以及一第二型半导体外延层于该基板上，构成一半导体外延堆叠层，且有部分该第一型半导体外延层裸露； 沿一第四方向形成多道裂片狭缝于该半导体外延堆叠层上； 形成一绝缘层于该裂片狭缝内； 形成一第一电极、一第二电极及多个分支电极组于该半导体外延堆叠层上，其中该第一电极沿一第一方向延伸形成于该裸露的第一型半导体外延层上，该第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡沛修，江彦志，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：