发光二极管结构制造技术

一发光二极管结构，包含一基板，一半导体发光迭层位于基板上，其中半导体发光迭层包含一第一半导体层、一第二半导体层与第一半导体层的电性相异、及一主动层介于第一半导体层及第二半导体层之间，一第一电极与第一半导体层电性相连，及一第二电极与第二半导体层电性相连，其中，第一电极包含一接触区与一延伸区，接触区具有与第一半导体层相对的一第一表面，延伸区具有与第一半导体层相对的一第二表面，第一表面及第二表面具有相异的粗糙度，且第一表面的反射率小于第二表面的反射率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管结构
[0001 ] 本专利技术涉及一种高亮度发光二极管结构。
技术介绍
发光二极管(LED)的发光原理和结构与传统光源并不相同，具有耗电量低、元件寿命长、无需暖灯时间、反应速度快等优点，再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用需求制成极小或阵列式的元件，在市场上部分产品的应用已很广泛，例如显示器的背光，在普通照明的部分则正逐渐地成长。目前的发光二极管(LED)的性能价格比随着应用越广越趋严苛，单位面积的亮度要求越来越高，因此会以加大单颗发光二极管(LED)芯片的尺寸来达成，但加大面积后会有电流分布不均匀问题，故如图1A所示，此一发光二极管(LED)包含第一半导体层22、第二半导体层26、第一电极4及第二电极5，第一电极4包含第一接触区4a及第一延伸部4b，其中第一接触区4a及第二电极5具有金属焊垫，用来封装打线，第一延伸部4b为指状电极，用来帮助电流扩散。但是当第一延伸部4b在芯片面积上所占的比例愈高时，电极的遮光或吸光现象便越趋严重，而影响发光效率。因此，如图1B所显示图1A中虚线AA’的剖面图，在第一接触区4a、第一延伸部4b及第二电极5下方，分别形成平的第一表面43、第二表面46及第三表面53等三个接触面，并设置高反射率层41、45及51，以降低金属焊垫及指状电极底部的遮光或吸光现象，但此一平的接触面在后续的封装打线工艺时，金属焊垫容易产生剥离现象，造成打线质量下降。以上发光二极管可进一步结合一次载体(sub-mount)而形成一发光装置，所述发光装置包含一具有至少一电路的次载体；至少一焊料(solder)位于上述次载体上，通过此焊料将上述发光二极管固定于次载体上并使发光二极管的基板与次载体上的电路形成电连接；以及，一电性连接结构，以电性连接发光二极管的电极垫与次载体上的电路；其中，上述的次载体可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate),以方便发光装置的电路规划并提高其散热效果。
技术实现思路
一发光二极管结构，包含一基板，一半导体发光迭层位于基板上，其中半导体发光迭层包含一第一半导体层、一第二半导体层与第一半导体层的电性相异、及一主动层介于第一半导体层及第二半导体层之间，一第一电极与第一半导体层电性相连，及一第二电极与第二半导体层电性相连，其中，第一电极包含一接触区与一延伸区，接触区具有与第一半导体层相对的一第一表面，延伸区具有与第一半导体层相对的一第二表面，第一表面及第二表面具有相异的粗糙度，且第一表面的反射率小于第二表面的反射率。【附图说明】图1A显示已知发光二极管的俯视图；图1B显示已知发光二极管的剖面图；图2A显示根据本专利技术第一实施例的发光二极管结构的剖面图；图2B显示封装打线区域的受力示意图；图3显示根据本专利技术第二实施例的发光二极管结构的剖面图；图4显示根据本专利技术第三实施例的发光二极管结构的剖面图；图5显示根据本专利技术第四实施例的发光二极管结构的剖面图；图6显不发光二极管具有多个第一延伸部的俯视图；图7与图8显示根据本专利技术第五实施例的发光二极管结构的俯视图；图9所显示根据本专利技术第五实施例的发光二极管结构的剖面图；图10显示根据本专利技术第六实施例的发光二极管结构的剖面图；图11显示根据本专利技术第七实施例的发光二极管结构的剖面图；图12显示根据本专利技术第八实施例的发光二极管结构的剖面图；图13显示根据本专利技术第九实施例的发光二极管结构的剖面图；图14显示根据本专利技术第十实施例的发光二极管结构的剖面图。【主要元件符号说明】Ia~Ij发光二极管结构43 第一表面10基板 4b 第一延伸部2半导体发光迭层44 第一指状电极22第一半导体层 45 高反射率层221 上表面46 第二表面222 平坦区域5 第二电极223 粗糙区域5a 第二接触区24主动层 51 高反射率层26第二半导体层 52 第二焊垫261 上表面53 第三表面262 平坦区域5b 第二延伸部263 粗糙区域54 第二指状电极3透明导电层 55 高反射率层4第一电极 56 第四表面4a第一接触区 61 拉力41高反射率层 62 剪切力42第一焊垫【具体实施方式】本专利技术所列举的各实施例仅用以说明本专利技术，并非用以限制本专利技术的范围。任何人对本专利技术所作的任何显而易知的修饰或变更皆不脱离本专利技术的精神与范围。图2A显示根据本专利技术第一实施例的发光二极管结构Ia的剖面图，此发光二极管结构Ia包含一基板10，基板10的材料包含但不限于绝缘材料，例如硅橡胶、玻璃、石英、陶瓷或氮化铝。一半导体发光迭层2位于基板10上包含一第一半导体层22、一主动层24及一第二半导体层26，当第一半导体层22为P型半导体，第二半导体层26可为相异电性的η型半导体，反之，当第一半导体层22为η型半导体，第二半导体层26可为相异电性的P型半导体。主动层24位于第一半导体层22及第二半导体层26之间，可为中性、P型或η型电性的半导体。施以电流通过半导体发光迭层2时，主动层24会发光。当主动层24以磷化铝铟镓(AlGaInP)为基础的材料时，会发出红、橙、黄光的琥珀色系的光，当以氮化铝镓铟(AlGaInN)为基础的材料时，会发出蓝或绿光。一透明导电层3形成在第一半导体层22上，透明导电层3的材料包含但不限于具有透明特性的导电材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锌(ZnO)、磷化镓(GaP)或上述材料的组合。一第一电极4形成在透明导电层3上与透明导电层3形成欧姆接触，第一电极4通过透明导电层3与第一半导体层22电性相连，当电流从第一电极4注入时，可通过透明导电层3增加电流散布的均匀度，避免电流过度集中在第一半导体层22的部分区域。一第二电极5形成在第二半导体层26上与第二半导体层26形成欧姆接触。第一电极4包含第一接触区4a及一个或多个第一延伸部4b，其中第一延伸部4b的形状与第一接触区4a的形状相异，如图1A所示第一电极4包含圆形的第一接触区4a以及长条状的第一延伸部4b，及图6所示第一电极4包含圆形的第一接触区4a以及两个L型状的第一延伸部4b。第一接触区4a包含第一焊垫42及高反射率层41，且具有第一表面43与透明导电层3欧姆接触；第一延伸部4b包含一个或多个第一指状电极44及高反射率层45，且具有第二表面46与透明导电层3欧姆接触。第一接触区4a的第一焊垫42用于打线连接，引导外部电流进入半导体发光迭层2，包含但不限于镍(Ni)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)的单层或多层金属结构。高反射率层41位于第一焊垫42下方与透明导电层3欧姆接触，包含但不限于导电性佳，且于可见光波段的反射率大于70%的金属，例如铝(Al)、金(Au)、钼(Pt)、银(Ag)、铑(Rh)及其合金的单层或多层金属结构。第一延伸部4b的第一指状电极44用于散布电流至透明导电层3，包含但不限于镍(Ni)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)的单层或多层金属结构。高反射率层45位于第一指状电极44下方与透明导电层3欧姆接触，包含但不限于导电性佳，且于可见光波段的反射率大于70%的金属，例如铝(Al)、金(Au)、钼(Pt)、银(Ag)、铑(Rh)及其合金的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一发光二极管结构，包含：一基板；一半导体发光迭层位于该基板上，其中该半导体发光迭层包含一第一半导体层、一第二半导体层与该第一半导体层的电性相异、及一主动层介于该第一半导体层及该第二半导体层之间；一第一电极与该第一半导体层电性相连；及一第二电极与该第二半导体层电性相连；其中，该第一电极包含一接触区与一延伸区，该接触区具有与该第一半导体层相对的一第一表面，该延伸区具有与该第一半导体层相对的一第二表面，该第一表面及该第二表面具有相异的粗糙度，且该第一表面的反射率小于该第二表面的反射率。

【技术特征摘要】
2012.08.01 TW 1011279141.一发光二极管结构，包含: 一基板； 一半导体发光迭层位于该基板上，其中该半导体发光迭层包含一第一半导体层、一第二半导体层与该第一半导体层的电性相异、及一主动层介于该第一半导体层及该第二半导体层之间； 一第一电极与该第一半导体层电性相连；及 一第二电极与该第二半导体层电性相连； 其中，该第一电极包含一接触区与一延伸区，该接触区具有与该第一半导体层相对的一第一表面，该延伸区具有与该第一半导体层相对的一第二表面，该第一表面及该第二表面具有相异的粗糙度，且该第一表面的反射率小于该第二表面的反射率。2.如权利要求1所述的发光二极管结构，还包含一透明导电层位于该第一电极与该第一半导体层之间。3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第一表面的粗糙度大于该第二表面的粗...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪国信，陈丁玉，欧震，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：