一种移位寄存器制造技术

本发明专利技术提供一种移位寄存器，包括控制信号发生电路，且该控制信号发生电路包括：第一晶体管；第二晶体管，其第一端电性耦接至第一晶体管的第二端以形成一第一节点，该第一节点还电性连接至当前移位信号输出端；第三晶体管；第四晶体管，其第一端电性耦接至第三晶体管的第二端以形成一第二节点，该第二节点还电性连接至一控制信号；第五晶体管；第六晶体管。当前移位信号输出端与下一级的移位信号输出端之间还包括一反馈电容。下一级移位信号的脉冲下降沿透过该反馈电容将第一节点的电位拉低至第二预设电压与一阈值电压的差值以下。相比于现有技术，本发明专利技术可使发射信号的低电位保持稳定，降低控制像素开关的风险。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种移位寄存器，包括控制信号发生电路，且该控制信号发生电路包括：第一晶体管；第二晶体管，其第一端电性耦接至第一晶体管的第二端以形成一第一节点，该第一节点还电性连接至当前移位信号输出端；第三晶体管；第四晶体管，其第一端电性耦接至第三晶体管的第二端以形成一第二节点，该第二节点还电性连接至一控制信号；第五晶体管；第六晶体管。当前移位信号输出端与下一级的移位信号输出端之间还包括一反馈电容。下一级移位信号的脉冲下降沿透过该反馈电容将第一节点的电位拉低至第二预设电压与一阈值电压的差值以下。相比于现有技术，本专利技术可使发射信号的低电位保持稳定，降低控制像素开关的风险。【专利说明】一种移位寄存器
本专利技术涉及一种移位寄存器，尤其涉及一种用于主动式矩阵有机发光二极管显示器的像素补偿电路的移位寄存器。
技术介绍
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, 0LED)依驱动方式可分为被动式矩阵驱动(Passive Matrix OLED, PM0LED)和主动式矩阵驱动(Active Matrix OLED,AMOLED )两种。对于AMOLED来说,每一像素都有一电容存储数据，让每一像素皆维持在发光状态。由于AMOLED耗电量明显小于PM0LED，加上其驱动方式适合发展大尺寸与高解析度的显不器，使得AMOLED成为未来发展的主要方向。移位寄存器是一种被广泛使用的电子元件，在许多的电子产品中都可以见到它的踪迹。简单来说，一般都是将多个移位寄存器级联在一起以组成一个移位寄存器组，并使一个电子信号从前一级的移位寄存器传输到次一级的移位寄存器中。如此一来，通过移位寄存器组内的信号传递的延迟时间，就可以使得一个电子信号在不同的时间、不同的位置上发挥正确的功效。在现有技术中，当AMOLED显示器操作P型MOS (Metal OxideSemiconductor,金属氧化物半导体)所需的发射信号时,P型驱动架构下的反相器无法在低电压位准提供一稳定的输出，进而增加了控制P型MOS的风险。例如，驱动P型MOS的发射信号在理想状态下的电压电位为低阈值电压Va，但实际输出的电压电位可能为(Va+VTH)，比上述低阈值电压高出一个晶体管的门槛电压，这无疑会加剧像素控制的不确定因素，进而影响显示器的画面品质。有鉴于此，如何设计一种新颖的移位寄存器或对现有的移位寄存器进行改进，以确实保证将发射信号的电压电位达到低阈值电压να。以降低或消除信号电位不稳定的现象，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
技术实现思路
针对现有技术中的用于AMOLED的移位寄存器所存在的上述缺陷，本专利技术提供了一种新颖的、可降低信号电位不稳定情形的移位寄存器。依据本专利技术的一个方面，提供了一种移位寄存器，适于主动式矩阵有机发光二极管(AM0LED, Active Matrix Organic Light Emitting Diode)显不器，该移位寄存器包括一控制信号发生电路，且所述控制信号发生电路包括:—第一晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第一晶体管的控制端接收一前级信号，所述第一晶体管的第一端电性耦接至一第一预设电压；一第二晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第二晶体管的控制端接收一第一时钟信号，所述第二晶体管的第一端电性耦接至所述第一晶体管的第二端从而形成一第一节点，所述第二晶体管的第二端电性耦接至一第二预设电压，其中所述第二预设电压小于所述第一预设电压，所述第一节点还电性连接至当前移位信号输出端；一第三晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第三晶体管的控制端电性连接至所述第一节点，所述第三晶体管的第一端电性耦接至所述第一预设电压；一第四晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第四晶体管的控制端接收所述前级信号，所述第四晶体管的第一端电性耦接至所述第三晶体管的第二端从而形成一第二节点，所述第四晶体管的第二端电性耦接至所述第二预设电压，其中，所述第二节点还电性连接至一控制信号；一第五晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第五晶体管的控制端电性连接至所述第一节点，所述第五晶体管的第一端电性耦接至所述第一预设电压，所述第五晶体管的第二端电性连接至与所述前级信号相关联的一后级信号；以及一第六晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第六晶体管的控制端电性连接至所述第二节点，所述第六晶体管的第一端电性耦接至所述第五晶体管的第二端，所述第六晶体管的第二端接收一第二时钟信号，所述第六晶体管的第一端与所述第二节点之间存在一第一电容，其中所述当前移位信号输出端与下一级的移位信号输出端之间还包括一反馈电容，并且，下一级移位信号的脉冲下降沿透过所述反馈电容将所述第一节点的电位拉低至所述第二预设电压与一阈值电压的差值以下，所述阈值电压为晶体管的门槛电压。在其中的一实施例中，移位寄存器还包括一驱动电路，所述驱动电路包括:一第一输入端，电性连接至所述第二节点，用以接收所述控制信号；一第二输入端，电性连接至所述第一节点，用以接收当前移位信号；以及一输出端，根据所述控制信号和所述当前移位信号之间的逻辑运算，输出一发射信号以驱动有机发光二极管。在其中的一实施例中，该驱动电路包括:一第七晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第七晶体管的控制端电性连接至所述第二节点，所述第七晶体管的第一端电性耦接至所述第一预设电压；以及一第八晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第八晶体管的控制端电性连接至所述第一节点，所述第八晶体管的第一端与所述第七晶体管的第二端均电性连接至所述驱动电路的输出端，所述第八晶体管的第二端电性耦接至所述第二预设电压。在其中的一实施例中，第七晶体管和所述第八晶体管均为P型金属氧化物半导体晶体管。在其中的一实施例中，当所述第二节点为高电位且所述第一节点的电位小于所述第二预设电压与一阈值电压的差值时，所述第七晶体管关断，所述第八晶体管导通，所述发射信号的电位等于所述第二预设电压。在其中的一实施例中，当所述第二节点为低电位且所述第一节点的电位等于所述第一预设电压时，所述第七晶体管导通，所述第八晶体管关断，所述发射信号的电位等于所述第一预设电压。在其中的一实施例中，所述第二时钟信号依次包括一第一脉冲信号、一第二脉冲信号和一第三脉冲信号，所述第一时钟信号依次包括所述第二脉冲信号、所述第三脉冲信号和所述第一脉冲信号。在其中的一实施例中，所述第一晶体管至所述第六晶体管均为P型金属氧化物半导体晶体管。依据本专利技术的又一个方面，提供了一种移位寄存器，适于主动式矩阵有机发光二极管(AMOLED, Active Matrix Organic Light Emitting Diode)显不器，该移位寄存器包括一控制信号发生电路，且所述控制信号发生电路包括:一第一晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第一晶体管的控制端接收一前级信号，所述第一晶体管的第一端电性耦接至一第一预设电压；一第二晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第二晶体管的控制端接收与所述前级信号相关联的一当前级信号，所述第二晶体管的第一端电性耦接至所述第一预设电压，所述第二晶体管的第二端电性连接至所述第一晶体管的第二端从而形成一第一节点，所述第一节点还电性连接至当本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移位寄存器，适于主动式矩阵有机发光二极管显示器，其特征在于，所述移位寄存器包括一控制信号发生电路，且所述控制信号发生电路包括：一第一晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第一晶体管的控制端接收一前级信号，所述第一晶体管的第一端电性耦接至一第一预设电压；一第二晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第二晶体管的控制端接收一第一时钟信号，所述第二晶体管的第一端电性耦接至所述第一晶体管的第二端从而形成一第一节点，所述第二晶体管的第二端电性耦接至一第二预设电压，其中所述第二预设电压小于所述第一预设电压，所述第一节点还电性连接至当前移位信号输出端；一第三晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第三晶体管的控制端电性连接至所述第一节点，所述第三晶体管的第一端电性耦接至所述第一预设电压；一第四晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第四晶体管的控制端接收所述前级信号，所述第四晶体管的第一端电性耦接至所述第三晶体管的第二端从而形成一第二节点，所述第四晶体管的第二端电性耦接至所述第二预设电压，其中，所述第二节点还电性连接至一控制信号；一第五晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第五晶体管的控制端电性连接至所述第一节点，所述第五晶体管的第一端电性耦接至所述第一预设电压，所述第五晶体管的第二端电性连接至与所述前级信号相关联的一后级信号；以及一第六晶体管，具有控制端、第一端与第二端，所述第六晶体管的控制端电性连接至所述第二节点，所述第六晶体管的第一端电性耦接至所述第五晶体管的第二端，所述第六晶体管的第二端接收一第二时钟信号，所述第六晶体管的第一端与所述第二节点之间存在一第一电容，其中，所述当前移位信号输出端与下一级的移位信号输出端之间还包括一反馈电容，并且，下一级移位信号的脉冲下降沿透过所述反馈电容将所述第一节点的电位拉低至所述第二预设电压与一阈值电压的差值以下， 所述阈值电压为晶体管的门槛电压。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑士嵩，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：