盐酸戊乙奎醚外消旋体II的晶型及其制备方法技术

本发明专利技术提供了盐酸戊乙奎醚外消旋体II的晶型，该晶型的粉末X线衍射图中，在衍射角2θ位于16.56±0.2、17.83±0.2、18.13±0.2、18.51±0.2、25.96±0.2处有特征峰。本发明专利技术还提供了该晶型的制备方法。本发明专利技术制备的盐酸戊乙奎醚外消旋体II晶型，可明显降低化合物的引湿性，避免了化合物因吸水而导致的潮解、变形、发霉或降解，对该化合物的贮存、运输提供了便利，为提高药物稳定性提供了基础。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
盐酸戊乙奎醚外消旋体II的晶型，其特征在于：该晶型的粉末X线衍射图中，在衍射角2θ位于16.56±0.2、17.83±0.2、18.13±0.2、18.51±0.2、25.96±0.2度处有特征峰。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘忠荣，余建红，叶兵，严强，
申请(专利权)人：成都自豪药业有限公司，
类型：发明
国别省市：