非易失性存储器编程制造技术

一些实施例包含存储器装置及对所述存储器装置的存储器单元进行编程的方法。一种此类方法可包含将信号施加到与存储器单元相关联的线，所述信号是基于数字信息而产生。所述方法还可包含：在将所述信号施加到所述线的同时，当所述数字信息具有第一值时，确定所述存储器单元的状态是否接近目标状态；及当所述数字信息具有第二值时，确定所述存储器单元的所述状态是否已达到所述目标状态。描述包含额外存储器装置及方法的其它实施例。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非易失性存储器编程优先权申请本专利申请案主张2011年3月25日申请的第13／072，478号美国专利申请案的优先权权益，所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。

技术介绍
例如闪存存储器装置的非易失性存储器装置用于在许多计算机及电子装置中存储数据。闪存存储器装置通常具有存储数据的编程操作、检索所存储的数据的读取操作及清除来自所述存储器的数据的擦除操作。常规的编程操作可涉及使存储器单元经编程以具有某些状态，且接着确定所述状态是否在其期望的目标编程状态内。可重复编程操作直到获得期望的目标编程状态为止。在一些常规的编程操作中，确定被编程的存储器单元的状态可能是一种挑战。
技术实现思路
附图说明图1展示根据本专利技术的实施例的存储器装置的框图。图2展示根据本专利技术的实施例的存储器装置的部分示意图。图3展示说明在根据本专利技术的实施例的图2的存储器装置的编程操作期间施加到与所选择的存储器单元相关联的存取线的各种信号的实例值的图式。图4展示根据本专利技术的实施例的图2的存储器装置的对应的阈值电压的阈值电压值范围的实例。图5展示说明根据本专利技术的实施例的图3及图4中所展示的阈值电压值与信号之间的关系的图表。图6是展示根据本专利技术的实施例的图5中所展示的一些信息及信号的值之间的关系的图表。图7展示根据本专利技术的实施例的在图2的存储器装置的一些所选择的存储器单元的实例编程期间基于图5及图6中所展示的信息值而通过所述存储器装置执行的一些活动。图8展示根据本专利技术的实施例的图2的存储器装置的另一部分的部分示意图。图9是展示根据本专利技术的实施例的图2的存储器装置的活动的图表，所述活动包含在图8的所选择的存储器单元的实例编程中确定所选择的时间间隔期间的一些条件。图10是展示根据本专利技术的实施例的在参考图9描述的实例编程操作中与第一存储器单元相关联的一些信号的第一实例的图表。图11是展示根据本专利技术的实施例在参考图9描述的实例编程操作中与第一存储器单元相关联的一些信号的第二实例的图表。图12是展示根据本专利技术的实施例在参考图9描述的实例编程操作中与第一存储器单元相关联的一些信号的第三实例的图表。图13是展示根据本专利技术的实施例在参考图9描述的实例编程操作中与第二存储器单元相关联的一些信号的实例的图表。图14是展示根据本专利技术的实施例在参考图9描述的实例编程操作中与第三存储器单元相关联的一些信号的实例的图表。图15是展示根据本专利技术的实施例的图2的存储器装置的活动的图表，所述活动包含在图8的所选择的存储器单元的另一实例编程中确定所选择的时间间隔期间的一些条件。图16展示根据本专利技术的实施例的用于存储器装置中的编程操作的方法的流程图。具体实施方式图1展示根据本专利技术的实施例的存储器装置100的框图。存储器装置100包含具有可布置成行与列的存储器单元103的存储器阵列102以及存取线104及感测线105。存储器装置100可使用存取线104来存取存储器单元103及使用感测线105来给存储器单元103传送数据。行存取电路107及列存取电路108向应于地址寄存器112以基于终端110、111或其两者上的行地址及列地址信号存取存储器单元103。数据输入／输出电路114在存储器单元103与终端110之间传送数据。终端110及111可为存储器装置100的外部终端(例如，暴露于含有存储器装置100的芯片或半导体封装外部的终端)。控制电路116基于终端110及111上存在的信号控制存储器装置100的操作。存储器装置100之外的装置(例如，处理器或存储器控制器)可使用终端110、111或其两者上的不同的信号组合给存储器装置100发送不同的命令(例如，编程命令及读取命令)。存储器装置100响应于执行例如编程、读取及擦除操作的操作的命令。编程操作可将数据从终端110写入存储器单元103(例如，将数据从终端110传送到存储器单元103)。编程操作一股可被称为写入操作。读取操作将数据从存储器单元103读取到终端110(例如，将数据从存储器单元103传送到终端110)。擦除操作擦除来自全部存储器单元103或来自存储器单元103的一部分的数据(例如，清除数据)。存储器装置100可包含对从存储器单元103读取的数据中的错误进行检查的错误校正单元118。错误校正单元118可包含错误校正电路以基于如所属领域的一股技术人员所熟知的错误校正码(ECC)校正错误。存储器装置100可包含存储单元120，存储单元120可包含例如寄存器的存储器元件。存储单元120可包含存储器装置100的硬件部分、固件部分或其两者。存储单元120还可用于存储代码(例如，软件编程指令)。存储器装置100可为闪存存储器装置，例如NAND闪存存储器装置或NOR闪存存储器装置或其它种类的存储器装置。存储器装置100可为单阶单元存储器装置，以使存储器单元103存储单一数据位。举例来说，存储器单元103可存储单一数据位的二进制“0”值或二进制“1”值。存储器装置100可为多级单元(MLC)存储器装置，以使存储器单元103的每一者中的每一者都可存储多个数据位或数据位的部分(例如，对应于2、3、4或一些其它数目的数据位的值)。举例来说，当存储器单元103的每一者中的每一者对应于每一单元2位时，存储器单元103的每一者中的每一者可存储两个二进制数据位的4种可能的组合的一者中的一者(即，对应于两个数据位的组合00、01、10及11)。在另一实例中，当存储器单元103的每一者中的每一者对应于每一单元3位时，存储器单元103的每一者中的每一者可存储3个二进制数据位的8种可能的组合的一者中的一者(即，000、001、010、011、100、101、110及111的一者中的一者)。在另一实例中，当存储器单元103的每一者中的每一者对应于每一单元4位时，存储器单元103的每一者中的每一者可存储4个二进制数据位的16种可能的组合的一者中的一者(即，0000、0001、0010、0011、1000等等直到1111的一者中的一者)。单阶存储器装置及MLC存储器装置可组合在装置100内。所属领域的一股技术人员将易于识别出存储器装置100可包含图1省略的以有助于集中于本文所描述的各种实施例的其它部件。存储器装置100可包含下文参考图2到图9描述的实施例中的一者或一者以上。图2展示根据本专利技术的实施例的存储器装置200的部分示意图。存储器装置200可与图1的存储器装置100相关联，例如形成存储器装置100的存储器阵列102的一部分。在图2中，存储器装置200包含布置成行240、241、242及243及列244、245、246及247的存储器单元210、211、212及213。如图2中所说明，相同列中的存储器单元在其相应列中可被连接成一系列(有时候被称为一串)存储器单元。图2展示4行及4列的实例，其中每一列中具有4个存储器单元。行、列及存储器单元的数目可变化。如图2中所展示，相同行(例如，行241)中的存储器单元可耦合到存取线260、261、262及263中的一者。这些存取线可对应于存储器装置的字线的部分，且在至少一些实例中，这些存取线可形成用于存储器单元的控制门。存储器装置200使用存取线260、261、262及263来在感测(例如，读取)存储在存储器单元210、21本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.03.25 US 13/072,4781.一种存储器编程方法，其包括：将信号施加到与存储器单元相关联的线，所述信号是基于数字信息而产生；当所述数字信息具有第一值时且当将所述信号施加到所述线时确定所述存储器单元是否接近目标状态；及当所述数字信息具有第二值时且当将所述信号施加到所述线时确定所述存储器单元是否已达到所述目标状态，其中所述第一值与用于确定所述存储器单元是否已达到所述目标状态的值不同，其中确定所述存储器单元是否接近目标状态包括确定所述存储器单元的阈值电压值是否已达到第一电压值，且其中确定所述存储器单元是否已达到所述目标状态包括确定所述存储器单元的所述阈值电压值是否已达到第二电压值，其中所述第二电压值大于所述第一电压值。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括如果所述存储器单元接近所述目标状态，则调整所述存储器单元的编程速率。3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括如果所述存储器单元已达到所述目标状态，则完成所述存储器单元的编程。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括如果所述存储器单元不接近所述目标状态且尚未达到所述目标状态，则增加所述存储器单元的编程速率。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述数字信息的所述第二值对应于所述存储器单元的目标阈值电压值。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述信号包含基于所述数字信息的所述第一值而产生的值，且所述信号的所述值小于所述第一电压值。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述信号包含基于所述数字信息的所述第二值而产生的额外值，其中所述额外值小于所述第二电压值。8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在将所述信号施加到所述线之前改变所述存储器单元的所述阈值电压值。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述数字信息包含按顺序次序产生的多个值，所述数字信息的所述第一值对应于所述多个值中的第一值，所述数字信息的所述第二值对应于所述多个值中的第二值，且其中所述第二值与所述第一值之间的差为2。10.一种存储器编程方法，其包括：将信号施加到与第一存储器单元及第二存储器单元相关联的线，所述信号是基于输入信息而产生；当所述输入信息具有第一值时且当将所述信号施加到所述线时确定第一存储器单元的阈值电压值是否达到接近第一目标阈值电压值的值；当所述输入信息具有第二值时且当将所述信号施加到所述线时确定所述第一存储器单元的所述阈值电压值是否达到所述第一目标阈值电压值；当所述输入信息具有第三值时且当将所述信号施加到所述线时确定所述第二存储器单元的阈值电压值是否达到接近第二目标阈值电压值的值；及当所述输入信息具有第四值时且当将所述信号施加到所述线时确定所述第二存储器单元的所述阈值电压值是否达到所述第二目标阈值电压值。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一目标阈值电压值与所述第二目标阈值电压值不同。12.根据权利要求10所述的方法，其中所述输入信息的所述第一值小于所述输入信息的所述第二值。13.根据权利要求10所述的方法，其中所述输入信息的所述第二值小于所述输入信息的所述第三值。14.根据权利要求10所述的方法，其中所述输入信息的所述第三值小于所述输入信息的所述第四值。15.一种存储器编程方法，其包括：产生第一信息；产生第二信息；当所述第一信息的值对应于目标阈值电压值时确定存储器单元是否接近目标状态；及当所述第二信息的值对应于所述目标阈值电压值时确定所述存储器单元是否已达到所述目标状态，其中所述第一信息在第一时间间隔期间具有第一值且在第二时间间隔期间具有第二值，所述第二信息在所述第一时间间隔期间具有第一值且在所述第二时间间隔期间具有第二值，且所述第一信息的所述第一值等于所述第二信息的所述第二值。16.根据权利要求15所述的方法，其中确定存储器单元是否接近目标状态包括确定所述存储器单元的阈值电压值是否已达到接近所述存储器单元的所述目标阈值电压值的值，且其中确定所述存储器单元是否已达到所述目标状态包括确定所述存储器单元的所述阈值电压值是否已达到所述目标阈值电压值。17.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一信息及所述第二信息是基于同一输入信息而产生。18.根据权利要求17所述的方法，其中当将基于所述输入信息产生的信号施加到与所述存储器单元相关联的存取线时，执行确定所述存储器单元的所述阈值电压值是否已达到接近所述目标阈值电压值的所述值及确定所述存储器单元的所述阈值电压值是否已达到所述目标阈值电压值。19.一种存储器编程方法，其包括：在第一时间间隔及第二时间间隔期间将信号施加到与存储器单元相关联的第一线，所述信号在所述第一时间间隔期间具有对应于数字...

【专利技术属性】
技术研发人员：维奥兰特·莫斯基亚诺，乔瓦尼·桑廷，米凯莱·因卡尔纳蒂，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：