背板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种背板及其制造方法，所述制造方法包括：提供第一晶圆；氧化所述第一晶圆，在所述第一晶圆表面形成氧化层；提供第二晶圆；通过所述氧化层使所述第二晶圆与所述第一晶圆贴合在一起；对所述第二晶圆进行背面减薄；图形化所述减薄后的第二晶圆，在所述减薄后的第二晶圆中形成多个贯穿孔，使所述贯穿孔露出所述氧化层；去除所述氧化层和所述第一晶圆。本发明专利技术还提供一种背板，所述背板由所述制造方法形成。本发明专利技术降低了背板的制造难度。

【技术实现步骤摘要】
背板及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种用于微机电系统（Micro-Electro-MechanicalSystems，MEMS）麦克风的背板及其制造方法。
技术介绍
随着科技的发展，手机等移动终端在人们日常生活中扮演着越来越重要的角色。而随着生活水平的逐步提高，人们对手机通话质量要求也越来越高，这对手机麦克风的技术提出了更高的要求。手机麦克风通常采用的是MEMS麦克风技术，在专利申请号为201010153495.3的中国专利申请中公开了现有技术一种MEMS麦克风技术。参考图1，示出了所述中国专利申请中MEMS麦克风的结构示意图。所述MEMS麦克风包括：设有声学后腔6的基底1，与基底1相连的、设有声孔31的背板3，与所述背板3相对且位于所述背板3之间的振膜4，所述振膜4与所述背板3之间形成声学前腔5。MEMS麦克风工作时，声波通过所述声孔31可以到达振膜4，以便于将声音转换为电信号。现有技术MEMS麦克风的制造方法通常是将振膜4与背板3一起进行制造，这使背板3只能适用于一种振膜，减弱了背板3的使用自由度。此外，所述背板3中设置多个声孔31，由于所述背板3的厚度较小，同时由于所述声孔31的存在，所述背板3为一柔性背板。现有技术在背板3的制造过程中需要改变工艺方法、传输方法，以防止柔性背板的损伤，这使背板3的制造方法难以与现有半导体设备、半导体工艺实现较好地兼容，从而增加了制造难度。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种背板及其制造方法，以降低制造难度。为解决上述问题，本专利技术提供一种背板的制造方法，包括：提供第一晶圆；氧化所述第一晶圆，在所述第一晶圆表面形成氧化层；提供第二晶圆；通过所述氧化层使所述第二晶圆与所述第一晶圆贴合在一起；对所述第二晶圆进行背面减薄；图形化所述减薄后的第二晶圆，在所述减薄后的第二晶圆中形成多个贯穿孔，使所述贯穿孔露出所述氧化层；去除所述氧化层和所述第一晶圆。可选地，所述第一晶圆的材料为硅，所述第二晶圆的材料为硅，所述氧化层的材料为氧化硅。可选地，通过所述氧化层将所述第二晶圆与所述第一晶圆贴合在一起的步骤包括：通过热键合的方式，使所述第二晶圆与所述氧化层贴合在一起，以实现第二晶圆与第一晶圆的贴合。可选地，对所述第二晶圆进行背面减薄的步骤包括：减薄后的第二晶圆的厚度位于70～90微米的范围内。可选地，图形化所述减薄后的第二晶圆的步骤包括：通过深反应离子蚀刻的方法图形化所述第二晶圆。可选地，所述深反应离子蚀刻的步骤以所述氧化层作为蚀刻停止层。可选地，所述贯穿孔的孔径在13～16微米的范围内，所述贯穿孔的孔间距位于在19～22微米的范围内。可选地，对所述第二晶圆进行背面减薄的步骤包括：通过砂轮进行背面减薄。可选地，去除所述氧化层和所述第一晶圆的步骤包括：通过大晃处理工艺进行去除。相应地，本专利技术还提供一种背板，所述背板由所述制造方法形成。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：在所述背板制造方法中，第一晶圆为第二晶圆提供支撑作用，可以减少第二晶圆在厚度减薄、形成贯穿孔等步骤中被损伤的几率。因而，在厚度减薄、形成贯穿孔等步骤中无需为避免第二晶圆的损伤而改变工艺条件，降低了背板的制造难度。附图说明图1是现有技术一种MEMS麦克风的结构示意图；图2是本专利技术背板制造方法一实施例的流程示意图；图3至图11是本专利技术背板制造方法一实施例形成的背板的结构示意图。具体实施方式现有技术MEMS麦克风的背板较薄，且所述背板中设置有多孔，背板较为柔软，容易在制造过程中损伤，对现有背板制造方法提出了更高的要求。为了解决所述技术问题，本专利技术提供一种背板的制造方法。参考图2，示出了本专利技术背板制造方法一实施例的流程示意图。所述制造方法大致包括以下步骤：步骤S1，提供第一晶圆；步骤S2，氧化所述第一晶圆，在所述第一晶圆表面形成氧化层；步骤S3，提供第二晶圆；步骤S4，通过所述氧化层使所述第二晶圆与所述第一晶圆贴合在一起；步骤S5，对所述第二晶圆进行背面减薄；步骤S6，图形化减薄后的第二晶圆，在所述减薄后的第二晶圆中形成多个贯穿孔，使所述贯穿孔露出所述氧化层；步骤S7，去除所述氧化层和所述第一晶圆。在所述背板制造方法中，第一晶圆为第二晶圆提供支撑作用，可以减少第二晶圆在厚度减薄、形成贯穿孔等步骤中被损伤的几率。因而，在厚度减薄、形成贯穿孔等步骤中无需为避免第二晶圆的损伤而改变工艺条件，降低了背板的制造难度。下面结合附图和具体实施例对本专利技术的技术方案做进一步描述。需要说明的是，此处以形成MEMS麦克风的背板为例进行说明，但是本专利技术对此不作限制，在其他实施例中，还可以形成其他器件的、具有多个贯穿孔的背板。参考图3，执行步骤S1，提供第一晶圆101。所述第一晶圆101用于提供支撑作用。本实施例中，所述第一晶圆101为硅晶圆。具体地，所述第一晶圆101的厚度在725～745微米的范围内。但是本专利技术对第一晶圆101的厚度不作限制。继续参考图3，执行步骤S2，氧化所述第一晶圆101，在所述第一晶圆101的表面形成氧化层103。所述氧化层103可以起到贴合作用。本实施例中，通过热氧化的方式氧化硅晶圆，在硅晶圆表面形成一层氧化硅作为所述氧化层103，但是本专利技术对氧化第一晶圆101的具体工艺不作限制。需要说明的是，所述氧化层103的厚度过小会影响贴合效果，而所述氧化层103的厚度过大则造成材料的浪费。因此，可选地，所述氧化层103的厚度在100～500纳米的范围内。请继续参考图3，执行步骤S3，提供第二晶圆102。所述第二晶圆102用于形成背板。本实施例中，所述第二晶圆102与第一晶圆101的材料相同，这有利于实现第二晶圆102和第一晶圆101的贴合，但是本专利技术对此不作限制。具体地，所述第二晶圆102为硅晶圆。参考图4，执行步骤S4，通过所述氧化层103使所述第二晶圆102与所述第一晶圆101贴合在一起。具体地，使所述氧化层103与所述第二晶圆102相接触并贴合，由于所述氧化层103形成于所述第一晶圆101上，原本已与所述第一晶圆101贴合在一起，因此，通过氧化层103与第二晶圆102之间贴合即可实现第二晶圆102与第一晶圆101的相互贴合。本实施例中，通过热键合（FusionBonding）的方式，通过氧化硅材料的氧化层103将两片硅晶圆贴合在一起。需要说明的是，热键合的方式较为简单，且可以实现第二晶圆102与第一晶圆101的紧密贴合，但是本专利技术对第二晶圆102与所述第一晶圆101之间贴合的方式不作具体限制。此外，热键合的具体工艺和分步骤与现有技术相同，在此不再赘述。参考图5，执行步骤S5，对所述第二晶圆102进行背面减薄。对所述第二晶圆102进行背面减薄的目的是为了在减薄后的第二晶圆102中形成贯穿孔。需要说明的是，此处背面减薄的意思指的是对第二晶圆102远离氧化层103的一面进行减薄处理。本实施例中，通过砂轮200（GrindingWheel）按照每分钟380～6000转的速度对所述第二晶圆102进行背面减薄。通过砂轮200进行减薄的减薄效率较高。但是本专利技术对此不作限制，在其他实施例中还可以采用化学方式（例如：化学喷雾腐蚀的方法）实现第二晶圆102的减薄，或者采用多种方式采用多步骤（例如：第一减薄步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背板的制造方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆；氧化所述第一晶圆，在所述第一晶圆表面形成氧化层；提供第二晶圆；通过所述氧化层使所述第二晶圆与所述第一晶圆贴合在一起；对所述第二晶圆进行背面减薄；图形化所述减薄后的第二晶圆，在所述减薄后的第二晶圆中形成多个贯穿孔，使所述贯穿孔露出所述氧化层；去除所述氧化层和所述第一晶圆。

【技术特征摘要】
1.一种背板的制造方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆用于提供支撑作用；氧化所述第一晶圆，在所述第一晶圆表面形成氧化层；提供第二晶圆，所述第二晶圆用于形成背板；通过所述氧化层使所述第二晶圆与所述第一晶圆贴合在一起；对所述第二晶圆进行背面减薄；图形化所述减薄后的第二晶圆，在所述减薄后的第二晶圆中形成多个露出所述氧化层的贯穿孔；去除所述氧化层和所述第一晶圆。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一晶圆的材料为硅，所述第二晶圆的材料为硅，所述氧化层的材料为氧化硅。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过所述氧化层将所述第二晶圆与所述第一晶圆贴合在一起的步骤包括：通过热键合的方式，使所述第二晶圆与所述氧化层贴合在一起，以实现第二晶圆与第一晶圆的贴合。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄锦才，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：