半导体装置的制造方法及麦克风的制造方法制造方法及图纸

技术编号:9338515 阅读:96 留言:0更新日期:2013-11-13 18:47
在硅晶片(73)的上方设置多个声敏传感器(51)。利用硅晶片(74),一体形成具有空腔(70)或贯穿电极(65、66)等的多个内插件(52)。将多个声敏传感器(51)的与硅晶片(73)相反一侧的面与多个内插件(52)接合一体化。此后,在将声敏传感器(51)与内插件(52)接合一体化的状态下,对声敏传感器(51)的硅晶片(73)进行研磨,来减薄硅晶片(73)的厚度。此后,将在接合的状态下逐个分割成单体的声敏传感器(51)及硅晶片(73)与信号处理电路一并安装在封装内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:堀本恭弘中河佑将井上匡志高桥敏幸
申请(专利权)人:欧姆龙株式会社
类型:
国别省市:

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