【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术的目的在于提供满足曝光宽容度和MEEF性能的放射线敏感性树脂组合物及适合用于该放射线敏感性树脂组合物的化合物，该放射线敏感性树脂组合物含有(A)具有下式(1)表示的基团与氮原子结合的结构的化合物、(B)具有酸解离性溶解抑制基团且通过酸的作用碱可溶性增大的树脂和(C)放射线敏感性酸产生剂。【专利说明】放射线敏感性树脂组合物和化合物本申请是中国申请号为201080040708.X的专利技术专利申请的分案申请(原申请的专利技术名称为“放射线敏感性树脂组合物和化合物”，原申请的申请日为2010年7月13日)。
本专利技术涉及在IC等的半导体制造工序、液晶、热敏头(thermal head)等的电路基板的制造、其他的光刻蚀工序中使用的放射线敏感性树脂组合物，以及适合用作该放射线敏感性树脂组合物的构成成分的化合物。更具体而言，涉及能够适合在以KrF准分子激光、ArF准分子激光等的波长250nm以下的远紫外线、电子束为曝光光源的光刻蚀工序中使用的化学增幅型的放射线敏感性树脂组合物。
技术介绍
化学增幅型的放射线敏感性树脂组合物是通过以KrF准分子激光、ArF准分子激光为代表的远紫外线、电子束的照射在曝光部生产酸，通过以该酸为催化剂的化学反应使曝光部与未曝光部在显影液中的溶解速度产生差异，在基板上形成抗蚀剂图案的组合物。作为能够以更短波长进行微细加工的、以ArF准分子激光为光源的光刻材料，例如使用的是以在骨架中具有在193nm区域不具有大的吸收的脂环式烃的聚合物、尤其是在其重复单元中具有内酯骨架的聚合物为构成成分的树脂组合物。为了得到工艺稳定...
【技术保护点】
一种放射线敏感性树脂组合物的图案形成方法，该方法具有如下工序：（1）使用放射线敏感性树脂组合物在基板上形成光致抗蚀剂膜，（2）介由液浸介质，通过具有规定图案的掩模对所形成的光致抗蚀剂膜照射放射线，进行曝光，（3）加热基板，所述基板上形成有经曝光的光致抗蚀剂膜，接着（4）进行显影；该放射线敏感性树脂组合物含有：（A）具有下式（1）表示的基团与氮原子结合的结构的化合物，（B）具有酸解离性溶解抑制基团且通过酸的作用碱可溶性增大的树脂，和（C）放射线敏感性酸产生剂；式（1）中，Y为由下式（i）表示并且碳原子数为5～20的1价基团，“*”表示与氮原子的结合位点；式（i）中，R1、R2和R3各自独立地为碳原子数1～4的直链状或支链状的烷基、或者碳原子数4～12的1价脂环式烃基，或者R1和R2相互结合而与它们所结合的碳原子一起形成碳原子数为4～12的2价脂环式烃基，“*”表示与氧原子的结合位点。FDA00003469192000011.jpg,FDA00003469192000012.jpg
【技术特征摘要】
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