本发明专利技术提供一种在光电转换元件中所含的有机层中使用时，短路电流密度和光电转换效率更大的化合物。具体而言，本发明专利技术提供具有式一种式(3)所表示的化合物，[化5]式中，R52、R53、R60和R61相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基、烷基氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷基氧基、芳基烷基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、氨基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷基氧基、取代甲硅烷基硫基、取代甲硅烷基氨基、1价的杂环基、杂环氧基、杂环硫基、芳基烯基、芳基炔基、羧基或氰基，W1和W2相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸酯残基、锍甲基、鳞甲基、膦酸酯甲基、单卤代甲基、硼酸残基、甲酰基、乙烯基或有机锡残基。
【技术实现步骤摘要】
本申请是申请号为201080049149.9的专利的分案申请，母案的申请日为2010年10月29日，优先权日2009年10月29日，母案专利技术名称为高分子化合物。
本专利技术涉及具有特定结构的高分子化合物。
技术介绍
近年来，为了防止地球变暖，要求削减向大气中释放的CO2。例如，提倡向在房屋的屋顶使用pn结型的硅系太阳能电池等的太阳能系统的更换，上述硅系太阳能电池中使用的单晶、多晶以及非晶硅，有所谓在其制造过程中需要高温、高真空条件的问题。另一方面，作为光电转换元件的一个方式的有机薄膜太阳能电池，可以省略在硅系太阳能电池的制造工艺中使用的高温、高真空工艺，存在能仅通过涂布工艺低价制造的可能性，近年来备受注意。作为有机薄膜太阳能电池中使用的高分子化合物，记载了具有重复单元(A)以及重复单元(B)的高分子化合物(专利文献1)。[化1]现有技术文献专利文献专利文献1日本特表2009-506519号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，具有含有上述高分子化合物的有机层的光电转换元件，短路电流密度以及光电转换效率未必充分。本专利技术的目的在于，提供一种在用于光电转换元件中所含的有机层的情况下短路电流密度以及光电转换效率增大的高分子化合物。【解决课题的方法】即，本专利技术之一，提供具有式(1)所表示的结构单元的高分子化合物。式(1)所表示的结构单元为2价的基团。[化2]〔式中，Ar1和Ar2相同或不同，表示3价的杂环基。X1表示-O-、-S-、-C(＝O)-、-S(＝O)-、-SO2-、-Si(R3)(R4)-、-N(R5)-、-B(R6)-、-P(R7)-或-P(＝O)(R8)-。R3、R4、R5、R6、R7和R8相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基、烷基氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷基氧基、芳基烷基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、氨基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷基氧基、取代甲硅烷基硫基、取代甲硅烷基氨基、1价的杂环基、杂环氧基、杂环硫基、芳基烯基、芳基炔基、羧基或氰基。R50表示氢原子、卤原子、烷基、烷基氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷基氧基、芳基烷基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、氨基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷基氧基、取代甲硅烷基硫基、取代甲硅烷基氨基、1价的杂环基、杂环氧基、杂环硫基、芳基烯基、芳基炔基、羧基或氰基。R51表示碳数6以上的烷基、碳数6以上的烷基氧基、碳数6以上的烷基硫基、碳数6以上的芳基、碳数6以上的芳基氧基、碳数6以上的芳基硫基、碳数7以上的芳基烷基、碳数7以上的芳基烷基氧基、碳数7以上的芳基烷基硫基、碳数6以上的酰基或碳数6以上的酰氧基。关于X1和Ar2，与构成Ar1的环中相邻的原子键合，关于C(R50)(R51)和Ar1，与构成Ar2的环中相邻的原子键合。本专利技术之二提供含有上述高分子化合物的薄膜。本专利技术之三提供含有上述高分子化合物和电子接受性化合物的组合物。本专利技术之四提供含有上述组合物的薄膜。本专利技术之五提供含有上述组合物和溶剂的墨液。本专利技术之六，提供式(3)所表示的化合物。[化3]〔式中，R52、R53、R60和R61相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基、烷基氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷基氧基、芳基烷基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、氨基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷基氧基、取代甲硅烷基硫基、取代甲硅烷基氨基、1价的杂环基、杂环氧基、杂环硫基、芳基烯基、芳基炔基、羧基或氰基。W1和W2相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸酯残基、锍甲基、鏻甲基、膦酸酯甲基、单卤代甲基、硼酸残基、甲酰基、乙烯基或有机锡残基。〕本专利技术之七，提供式(4)所表示的化合物。[化4]〔式中，R60、R61、R52和R53相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基、烷基氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷基氧基、芳基烷基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、氨基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷基氧基、取代甲硅烷基硫基、取代甲硅烷基氨基、1价的杂环基、杂环氧基、杂环硫基、芳基烯基、芳基炔基、羧基或氰基。W1和W2相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸酯残基、锍甲基、鏻甲基、膦酸酯甲基、单卤代甲基、硼酸残基、甲酰基、乙烯基或有机锡残基。V1和V2相同或不同，表示氢原子、碱金属、烷基、芳基或芳基烷基。〕本专利技术之八，提供式(5)所表示的化合物。[化5]〔式中，R52和R53相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基、烷基氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷基氧基、芳基烷基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、氨基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷基氧基、取代甲硅烷基硫基、取代甲硅烷基氨基、1价的杂环基、杂环氧基、杂环硫基、芳基烯基、芳基炔基、羧基或氰基。W1和W2相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸酯残基、锍甲基、鏻甲基、膦酸酯甲基、单卤代甲基、硼酸残基、甲酰基、乙烯基或有机锡残基。〕本专利技术之九，提供式(5-1)所表示的化合物。[化6]〔式中，R60、R52和R53相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基、烷基氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷基氧基、芳基烷基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、氨基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷基氧基、取代甲硅烷基硫基、取代甲硅烷基氨基、1价的杂环基、杂环氧基、杂环硫基、芳基烯基、芳基炔基、羧基或氰基。W1和W2相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸酯残基、锍甲基、鏻甲基、膦酸酯甲基、单卤代甲基、硼酸残基、甲酰基、乙烯基或有机锡残基。V1表示氢原子、碱金属、烷基、芳基或芳基烷基。〕本专利技术之十，提供式(8-1)和(8-2)所表示的化合物。[化7]〔式中，R62～R65相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基、烷基氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷基氧基、芳基烷基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、氨基、取代氨基、取...
【技术保护点】
一种式(3)所表示的化合物，式中，R52、R53、R60和R61相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基、烷基氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷基氧基、芳基烷基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、氨基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷基氧基、取代甲硅烷基硫基、取代甲硅烷基氨基、1价的杂环基、杂环氧基、杂环硫基、芳基烯基、芳基炔基、羧基或氰基，W1和W2相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸酯残基、锍甲基、鏻甲基、膦酸酯甲基、单卤代甲基、硼酸残基、甲酰基、乙烯基或有机锡残基。
【技术特征摘要】
2009.10.29 JP 2009-248792;2010.03.11 JP 2010-054221.一种式(3)所表示的化合物，
式中，R52、R53、R60和R61相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基、
烷基氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷基
氧基、芳基烷基硫...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉村研，大家健一郎，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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