掺氟类金刚石薄膜、其制备方法及包含该薄膜的压印模板技术

本发明专利技术公开了一种掺氟类金刚石薄膜、其制备方法以及包含该薄膜的压印模板，该薄膜沉积在基体表面上，薄膜中氟的质量含量为1%～4%；薄膜厚度为1～10nm。本发明专利技术公开的薄膜具有类金刚石薄膜的优点，同时具有优异的疏水、防粘性能以及与基体较好的粘接性，保护基体上结构的整体性并提高了基体的重复使用率；并且制备工艺简易、成本低，可应用于纳米压印模板的防粘处理。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种掺氟类金刚石薄膜、其制备方法以及包含该薄膜的压印模板，该薄膜沉积在基体表面上，薄膜中氟的质量含量为1%～4%；薄膜厚度为1～10nm。本专利技术公开的薄膜具有类金刚石薄膜的优点，同时具有优异的疏水、防粘性能以及与基体较好的粘接性，保护基体上结构的整体性并提高了基体的重复使用率；并且制备工艺简易、成本低，可应用于纳米压印模板的防粘处理。【专利说明】掺氟类金刚石薄膜、其制备方法及包含该薄膜的压印模板
本专利技术属于纳米加工
，具体涉及一种掺氟类金刚石薄膜、其制备方法、及包含该薄膜的压印模板。
技术介绍
纳米压印光刻技术(Nano-1mprint Lithography, NIL)是由美国普林斯顿大学纳米结构实验室的Stephen Y.Chou教授在1995年提出的一种全新纳米图形化方法,该技术采用具有纳米图案的压印模板(又称为模具、模版)以机械力(高温、高压)在涂有高分子材料的硅基板上等比例的压印复制纳米图案。纳米压印光刻的分辨率仅与压印模板的图案尺寸有关，而不受传统光学光刻的最短曝光波长的物理限制。由于纳米压印光刻技术拥有的突出优点和巨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掺氟类金刚石薄膜，该薄膜沉积在基体表面上，其特征在于：以质量计，所述薄膜中氟的含量为1%～4%；所述薄膜厚度为1～10nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石振，李丰，邓萌萌，葛海雄，杨立梅，
申请(专利权)人：苏州锦元纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：