一种在蓝宝石衬底上制备纳米图案的方法技术

本发明专利技术公开了一种在蓝宝石衬底上制备纳米图案的方法，包括如下步骤：(1)选取洁净的蓝宝石衬底基片，在其表面涂布六甲基二硅氮烷，烘烤，使其反应完全；(2)涂布紫外光固化纳米压印胶材料，形成压印胶层；(3)将压印模板压入上述压印胶层，紫外曝光，曝光结束后移去压印模板；(4)刻蚀去除纳米压印胶残余层，暴露出蓝宝石衬底；(5)将纳米压印胶层作为刻蚀掩膜，刻蚀蓝宝石衬底；(6)刻蚀去除纳米压印胶层，即可获得纳米图案化蓝宝石衬底。本发明专利技术省略了以往需在蓝宝石衬底上先沉积一层二氧化硅过渡层作为掩膜的复杂过程，大大简化了制备工艺，降低了制备难度与成本，更易实现产业化应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于微纳加工领域。
技术介绍
与传统的灯泡及已有的节能灯比较，发光二极管(LED)照明具有寿命长、低电流、 低驱动电压的低耗电特性，且具有环保、体积小、响应快等优点，正在被广泛地运用于通讯、 电子、汽车、显示等各个领域。当前，进ー步降低LED的制造成本，提高LED的发光效率与光取出率，是LED产业面临的主要挑战之一。衬底材料是LED半导体发光材料氮化镓(GaN)等外延生长的基础，目前，用于氮化镓生长的最普遍的衬底是蓝宝石衬底，即三氧化ニ铝晶体，其优点是化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟。为了提高LED的发光效率，一方面可以通过改善氮化镓材料外延生长的エ艺，提高氮化镓材料的内量子效应来实现，另一方面人们发现在蓝宝石衬底上设计和制造出微米级或纳米级的具有特定凹凸结构的规则图案，可以以控制 LED的光输出形式，蓝宝石衬底上的凹凸图案会产生光反射、散射或折射的效果，以此增加光的取出率，同时这些凹凸的图案结构还能够减少氮化镓材料横向外延生长的位错缺陷， 提升氮化镓晶体的质量，并提高LED发光的内量子效率。日本的研究人员最先用光刻技术结合氯基反应离子干法刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：葛海雄，郭旭，夏丁福，陈延峰，李丰，袁孝，
申请(专利权)人：苏州锦元纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：