一种常压化学气相沉积大面积高质量双层石墨烯薄膜的可控制备方法技术

本发明专利技术公开了一种常压化学气相沉积双层石墨烯膜的方法，其包括铜箔预处理、铜箔退火、双层石墨烯膜的生长和冷却过程，铜箔在H2和Ar混合气中于850～1050oC下退火，在不改变H2和Ar流速和反应温度的情况下，继续通入乙炔气生长获得双层石墨烯膜。本发明专利技术制备的双层石墨烯质量高，克服了常压制备石墨烯方法的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种常压化学气相沉积双层石墨烯膜的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）铜箔预处理铜箔用乙醇和丙酮超声清洗；（2）铜箔退火铜箔在H2和Ar流速比为1：2～2：1的混合气中于850～1050oC下退火；（3）双层石墨烯膜的生长铜箔在H2和Ar流速比为1:9～1:100的混合气中于850～1050oC下保持10～30分钟，在不改变H2和Ar流速和反应温度的情况下，继续通入0.5～3?sccm?乙炔气，生长7～30分钟；（4）冷却温度降至700oC以下停止通入氢气，冷却至室温。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：任兆玉，王惠，祁媚，李渭龙，
申请(专利权)人：西北大学，
类型：发明
国别省市：