【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底；浅沟槽隔离，嵌于所述衬底中，且形成至少一个开口区；沟道区，位于所述开口区内；栅堆叠，包括栅介质层和栅电极层，位于所述沟道区上方；源漏区，位于所述沟道区的两侧，包括为所述沟道区提供应变的应力层；其中，所述浅沟槽隔离和所述应力层之间具有衬垫层，作为所述应力层的晶种层；以及，所述衬底与所述浅沟槽隔离之间具有衬垫层和垫氧化层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王桂磊，崔虎山，赵超，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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