【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种多晶硅炉管生长厚度监测方法，其特征在于包括：在晶舟的两端放置一定量的侧部虚拟晶圆；在晶舟内与上端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；晶舟内的中间位置放置一个或两个控片；在晶舟内与下端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；在晶舟内的剩余位置上从晶舟的上端向下端依次放置将要形成多晶硅的目标晶圆；在晶舟内未被多晶硅的目标晶圆填满的位置处放置填充虚拟晶圆；进行多晶硅生长；取所述控片进行多晶硅生长厚度量测。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王智，罗宏鹏，苏俊铭，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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