【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种监控MOS器件阈值电压漂移的方法，其特征在于，在栅介质层制备完成后，在线监测该硅片的Qtot和/或Dit值，并通过Qtot和/或Dit值预测该硅片所制备的MOS器件的阈值电压漂移；其中，Qtot表示所述栅介质层内部的所有电荷，Dit表示所述栅介质层与硅衬底之间的界面态密度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈清，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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