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本发明提供一种监控MOS器件阈值电压漂移的方法，属于半导体器件的测试技术领域。该方法中，在栅介质层制备完成后，在线监测该硅片的Qtot和/或Dit值，并通过Qtot和/或Dit值预测该硅片所制备的MOS器件的阈值电压漂移；其中，Qtot表示...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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