无电阻的带隙基准源制造技术

一种无电阻的带隙基准源包括正、负温度系数产生电路；负温度系数产生电路包括第一NMOS晶体管以及连接成二极管形式的第一、二双极晶体管，第一、二双极晶体管基极与集电极接地、第一双极晶体管发射极耦合至一运算放大器负输入端，第二双极晶体管发射极连接至第一NMOS晶体管源极，第一NMOS晶体管漏极耦合至运算放大器正输入端，一电流镜耦合至第一NMOS晶体管栅极；正温度系数产生电路包括第三、四NMOS晶体管，第三、四NMOS晶体管源极分别连接至第一双极晶体管发射极和第一NMOS晶体管漏极，并分别耦合至运算放大器的负、正输入端，电流镜耦合至第三、四NMOS晶体管栅极，一NMOS自偏置管耦合至第三、四NMOS晶体管漏极；运算放大器输出端耦合至电流镜。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种无电阻的带隙基准源，包括带隙基准产生电路，其特征在于，所述带隙基准产生电路包括负温度系数产生电路和正温度系数产生电路；所述负温度系数产生电路包括第一NMOS晶体管，以及连接成二极管形式面积不相同的第一双极晶体管与第二双极晶体管，其中所述第一双极晶体管与第二双极晶体管的基极与集电极均接地，所述第一双极晶体管的发射极耦合至一运算放大器的负输入端，所述第二双极晶体管的发射极连接至所述第一NMOS晶体管的源极，所述第一NMOS晶体管的漏极耦合至所述运算放大器的正输入端，并且一电流镜耦合至所述第一NMOS晶体管的栅极；所述正温度系数产生电路包括第三NMOS晶体管与第四NMOS晶体管，其中所述第三NM...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贺红荔，刘楠，庄在龙，
申请(专利权)人：江苏芯创意电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：