高精度无电阻带隙基准电压源制造技术

技术编号:9356415 阅读:161 留言:0更新日期:2013-11-20 23:36
本发明专利技术涉及一种高精度无电阻带隙基准电路。本发明专利技术公开了一种高精度无电阻带隙基准电压源,包括负温电流产生电路,正温电流产生电路,一阶正温电压叠加电路,低温电流补偿电路,高温电流补偿电路。负温电流产生电路用于产生负温电流,所述正温电流产生电路用于产生正温电流,所述正温电流产生电路的一个基极和集电极接地的PNP三极管Q1的发射极连接到一阶正温电压叠加电路,所述正温电流为一阶正温电压叠加电路提供偏置电流,一阶正温电压叠加电路实现正温电压和负温电压的叠加,并输出基准电压VREF。本发明专利技术具有很好的温度特性,能够提供更高的基准电压精度。本发明专利技术未采用电阻模型,能够很好兼容一些无电阻或者电阻模型精度不高的工艺。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
高精度无电阻带隙基准电压源,包括负温电流产生电路,正温电流产生电路,一阶正温电压叠加电路,低温电流补偿电路,高温电流补偿电路;所述负温电流产生电路由5个PMOS管:第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管,7个NMOS管:第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管,第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管,以及第一电容组成;具体连接关系:五个PMOS管的源极接电源电压,第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第五PMOS管栅极连接在一起,第一PMOS管的栅极和漏极短接,第四PMOS管的栅极与第五PMOS管的漏极连接,第二P...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周泽坤许天辉苟超朱世鸿张其营张庆岭张波
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:

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