一种冶炼法生产多晶硅的方法技术

本发明专利技术公开了一种冶炼法生产多晶硅的方法，将石英石、煤或石油焦的混合物投入电阻炉中，高温烧制24~48小时，温度2400~2600摄氏度，生成了碳化硅结晶筒；在碳化硅结晶筒上方开2~5个投料口；再将石英砂和煤的按1.5~2:1的比例混合后，由投料口投入碳化硅结晶筒中；原料投入后，接通电源，使炉中的石墨导电，产生2000~2200摄氏度的高温，在高温下，煤中的碳原子置换石英砂中的氧原子，生成的二氧化碳气体，由投料口排出，剩下熔融态硅；熔融态硅通过直流电流电解，将生成的碳化物滞留在碳化硅中，使杂质与熔融态硅分离，冷却形成固体多晶硅。本发明专利技术是一种在碳化硅炉中采用冶炼法生产多晶硅的方法，其生产方法简单、成本降低、易操作等优点，纯度达到99.9%以上。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种冶炼法生产多晶硅的方法，其特征在于包括以下步骤：a.将石英石、煤或石油焦的混合物投入电阻炉中，高温烧制24~48小时，温度2400~2600摄氏度，生成了碳化硅结晶筒；b.在碳化硅结晶筒上方开2—5个投料口；?c.再将石英砂和煤的按1.5～2:1的比例混合后，由投料口投入碳化硅结晶筒中；d.原料投入后，接通电源，使炉中的石墨导电，产生2000—2200摄氏度的高温，在高温下，煤中的碳原子置换石英砂中的氧原子，生成的二氧化碳气体，由投料口排出，剩下熔融态硅；e.将步骤d得到的熔融态硅通过直流电流电解，将生成的碳化物滞留在碳化硅中，使杂质与熔融态硅分离，冷却形成固体多晶硅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李宪国，王徳树，
申请(专利权)人：李宪国，
类型：发明
国别省市：