【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
由于电子市场和太阳能市场对多晶硅的大量需求,西门子法硅企业大量上马,而污染问题也相继暴光,并且尾气的治理已成为硅企业发展的瓶颈,为此解决西门子法多晶硅尾气的治理问题成了企业发展的重中之重。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种,该方法工艺简单、成本低廉、设备投资少。 为解决上述技术问题,本专利技术所提供的技术方案是一种,包括以下步骤 (1)配料将四氯化硅与水按摩尔比0. 5 0. 8 : 1 2. 4混匀; (2)反应对混合物料进行加热回流,温度为100 150°C,回流时间为2 4小时; (3)分离反应完毕后,将产生的固体产物与气体产物和原料四氯化硅分离; (4)冷凝分离用冷凝法分离气体产物和原料四氯化硅。 步骤(1)中四氯化硅与水的摩尔比为1 : 2。 步骤(2)中反应条件为温度100 ll(TC,回流时间为2 2. 5小时。 步骤(3)中反应条件为温度在6(TC以上。 步骤(4)中反应条件为冷凝温度为30 50°C 。 本专利技术的工作原理利用四氯化硅与水之间的反应,将四氯化硅无害化处理SiCl4+2H20 = S ...
【技术保护点】
一种西门子法多晶硅尾气处理方法,包括以下步骤:(1)配料:将四氯化硅与水按摩尔比0.5~0.8∶1~2.4混匀;(2)反应:对混合物料进行加热回流,温度为100~150℃,回流时间为2~4小时;(3)分离:反应完毕后,将产生的固体产物与气体产物和原料四氯化硅分离;(4)冷凝分离:用冷凝法分离气体产物和原料四氯化硅。
【技术特征摘要】
一种西门子法多晶硅尾气处理方法,包括以下步骤(1)配料将四氯化硅与水按摩尔比0.5~0.8∶1~2.4混匀;(2)反应对混合物料进行加热回流,温度为100~150℃,回流时间为2~4小时;(3)分离反应完毕后,将产生的固体产物与气体产物和原料四氯化硅分离;(4)冷凝分离用冷凝法分离气体产物和原料四氯化硅。2. 根据权利要求l所述的西门子法多晶硅尾气处理方法,其特征在于步骤(1)中四氯化...
【专利技术属性】
技术研发人员:侯振海,王宏达,张军,
申请(专利权)人:王宏达,
类型:发明
国别省市:89[中国|沈阳]
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