硅微粒的制造方法以及硅微粒的粒径控制方法技术

本发明专利技术的目的和课题在于，提供一种能够有效地制造粒径均一的硅微粒的硅微粒的制造方法以及硅微粒的粒径控制方法。并且，本发明专利技术的特征在于，通过在蚀刻溶液中浸渍硅颗粒、用具有比所述硅颗粒的带隙能量更大的能量的光照射浸渍在所述蚀刻溶液中的所述硅颗粒，从而控制粒径、并且制造比所述硅颗粒的粒径更小的硅微粒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
目前，作为简易的硅微粒的制造方法，已知利用由氧化硅(SiOx，X=I或2)包覆的硅颗粒形成的复合粉体制造硅微粒的方法(例如，参照专利文献I)。复合粉体通过将包含硅源和碳源的混合物在非活性气氛中焙烧、将由焙烧生成的气体骤冷而得到。将所得的复合粉体浸溃在包含氟化氢以及氧化剂的蚀刻溶液中，蚀刻氧化硅以及硅颗粒。由此，由复合粉体得到硅微粒。通过调整蚀刻时间、蚀刻浓度，可得到所期望的粒径的硅微粒。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007-112656号公报
技术实现思路
复合粉体中所含的硅颗粒的粒径多样，由复合粉体得到的硅微粒的粒径分布范围广。通过蚀刻虽然可以使硅微粒的粒径变小，但无法使硅微粒的粒径分布尖锐。因此，粒径有差别的硅微粒偏离了所期望的粒径，从而无法有效地得到粒径均一的硅微粒。另外，粒径分布每次制造时都不相同。因此，即使发现了可得到多数所期望的粒径的蚀刻条件，下次制造时也不一定是最合适的蚀刻条件。因此，符合粒径最均一的硅颗粒群地进行蚀刻是比较困难的。从这点来看也无法有效地得到粒径均一的硅微粒。因此，鉴于此种状况，本专利技术的目的在于，提供一种能够有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.10 JP 2010-2035281.种硅微粒的制造方法，其具备准备硅颗粒的准备工序和在蚀刻溶液中浸溃所述硅颗粒的蚀刻工序，制造粒径比所述硅颗粒更小的硅微粒， 在所述蚀刻工序中，用具有比所述硅颗粒的带隙能量更大的能量的光来照射浸溃在所述蚀刻溶液中的所述硅颗粒。2.据权利要求1所述的硅微粒的制造方法，其中，所述蚀刻溶液包含氟化氢。3.据权利要求1或2所述的硅微粒的制造方法，其中，所述光为单色...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤井一，宫野真理，远藤茂树，椎野修，大野信吾，吉川雅人，
申请(专利权)人：株式会社普利司通，
类型：
国别省市：