【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成含碳介质层；在所述的介质层上形成第一图形化的掩膜层，定义互连沟槽的位置；在所述介质层及第一图形化的掩膜层上形成第二图形化的掩膜层，定义通孔的位置；以所述第二图形化的掩膜层为掩膜刻蚀介质层，形成通孔，在刻蚀时，介质层中的碳被损耗；去除第二图形化的掩膜层，在所述通孔中通入CH4等离子体以补充介质层中被损耗的碳；以所述第一图形化的掩膜层为掩膜刻蚀介质层，形成互连沟槽；去除所述第一图形化的掩膜层；在所述通孔和互连沟槽中填充导电材料形成双镶嵌结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，王冬江，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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