硅通孔结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种硅通孔结构及其制造方法，先通过在背面处理工艺中将预先在通孔中形成的虚拟材料填充移除，然后在背面向通孔中沉积金属阻挡层，并将预先形成的多晶硅盖层转化为自对准金属硅化物，使得本发明专利技术的硅通孔结构与其上的互连器件接触的多晶硅界面平整，阻抗降低，从而使得互连器件结构性能提高；进一步地，本发明专利技术的硅通孔结构通过在通孔中填充碳纳米管替代铜，提高芯片堆栈的性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅通孔结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有前表面和背表面；由所述半导体衬底的前表面刻蚀所述半导体衬底形成一开口；在所述开口的内表面上形成一层绝缘层；在所述开口中依次形成虚拟材料填充和多晶硅盖层；对所述半导体衬底的背表面进行化学机械平坦化，暴露出所述虚拟材料填充的底部表面；移除所述虚拟材料填充，在所述多晶硅盖层表面上形成金属阻挡层，并在所述多晶硅盖层处形成自对准金属硅化物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，符雅丽，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：