【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于制作准单晶硅的装置，其特征在于，所述装置包括至少二个长方体坩埚、以及至少一个梯形体坩埚，所述梯形体坩埚连接于相邻的二个长方体坩埚之间，并且位于上方的长方体坩埚大于位于下方的长方体坩埚。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈戈，姜占锋，徐华毕，李国兵，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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