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本发明涉及一种用于制作准单晶硅的装置，所述装置包括至少二个长方体坩埚、以及至少一个梯形体坩埚，所述梯形体坩埚连接于相邻的二个长方体坩埚之间，并且位于上方的长方体坩埚大于位于下方的长方体坩埚。本发明还涉及准单晶硅的制作方法，包括以下步骤：选取...
该专利属于比亚迪股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪股份有限公司授权不得商用。

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