一种使用区域连续铸造法制备区熔硅料的方法技术

本发明专利技术涉及区熔法(FZ法)晶体生长法。区熔(FZ)法指晶体生长的一种方法，又称悬浮区熔法，用来获取半导体如硅锗，砷化镓等的单晶。同其他晶体生长方法相比，区熔生长仅能使用西门子还原炉经过特殊工艺生产的柱状原料多晶硅，全球仅有有限的工厂提供极少产量的该种区熔多晶硅料，使得区熔方法未能如其他硅晶体生长方法一样得到普及。但是区熔法相较于其他晶体生长方法可以提供极低污染的硅单晶，在晶体质量上的优势无可比拟。本发明专利技术提供一种使用区域连续铸造法，使用普通西门子还原硅料制备区熔硅料的方法，以求扩大区熔原料的来源和降低制造成本，推广高质量的区熔晶体在行业中的应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种使用区域连续铸造法制备区熔硅料的方法权利要求为利用如图一或图二所示的区域连续铸造法，对原生还原炉制备的普通硅棒进行区熔拉晶前的预制备的方法。无论铸造是自上而下或之下而上，都属于本专利技术权利要求范围。无论是(4)水冷坩埚和加热器相对固定而硅棒移动，或硅棒相对固定而(4)水冷坩埚和加热器移动，都属于本专利技术权利要求范围。选择不同的坩埚材料，或者放弃感应加热使用其他加热方式并不构成对本专利技术的合理回避。本专利技术为图一二所示及具体实现方式中所提供的各种设计元素的有机结合，对其中若干种元素删减修改或者添加，不形成对本专利技术的合理规避。任何熟悉硅材料技术的工程技术人员可以理解这些方法同本专利技术互为等价，不构成对本专利技术的合理规避。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁欣，
申请(专利权)人：丁欣，
类型：发明
国别省市：