基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基板处理装置。本发明专利技术涉及的基板处理装置，将存在于下部主体内部的下侧部位和内部上侧部位的异物分别从下部主体内部的下侧部位和内部的上侧部位通过第一排出管和第二排出管排出，所以有效地向外部排出存在于下部主体内部的异物。从而，能够防止基板由于异物而损伤，具有提高基板处理工序的可靠性的效果。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本专利技术涉及一种能够有效地向外部排出在基板处理工序中所产生的异物的基板处理装置。
技术介绍
基板处理装置用于制造半导体元件，大致分为气相沉积（VaporDeposition）装置和热处理（Annealing）装置。沉积装置是形成作为半导体元件的核心结构的透明导电层、绝缘层、金属层的装置，分为诸如LPCVD（LowPressureChemicalVaporDeposition：低压化学气相沉积）或PECVD（Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition：等离子体增强化学汽相沉积）等化学气相沉积装置和诸如溅射（Sputtering）等物理气相沉积装置。此外，热处理装置是在基板上沉积膜之后提高被沉积膜的特性的装置，是使沉积膜结晶或相变的热处理装置。一般，基板处理装置包括下部主体和设置于所述下部主体上面的上部主体。在所述下部主体的内部设置有：晶舟，装载并存储多个基板；机器臂，将存储在所述下部主体外部的基板装载到所述晶舟上，或将装载在所述晶舟上的基板移送到所述下部主体的外部。此外，在所述上部主体的内部形成有作为基板处理空间的腔室，在所述腔室设置有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，包括：下部主体，在其内部形成有空间；上部主体，设置在所述下部主体的上面，与所述下部主体连通或隔绝，在内部形成有作为基板处理空间的腔室；晶舟，可升降地设置在所述下部主体的内部，并出入于所述腔室，用于装载并存储多个基板；机器臂，设置在所述下部主体的内部，用于移送存储在所述下部主体的外部的基板并装载到所述晶舟上，或将装载在所述晶舟上的所述基板移送到所述下部主体的外部；排出单元，设置在所述下部主体，将存在于所述下部主体内部的下侧部位和上侧部位的异物分别排出至所述下部主体的外部。

【技术特征摘要】
2012.03.27 KR 10-2012-00313271.一种基板处理装置，其特征在于，包括：下部主体，在其内部形成有空间；上部主体，设置在所述下部主体的上面，与所述下部主体连通或隔绝，在内部形成有作为基板处理空间的腔室；晶舟，可升降地设置在所述下部主体的内部，并出入于所述腔室，用于装载并存储多个基板；机器臂，设置在所述下部主体的内部，用于移送存储在所述下部主体的外部的基板并装载到所述晶舟上，或将装载在所述晶舟上的所述基板移送到所述下部主体的外部；排出单元，设置在所述下部主体，将存在于所述下部主体内部的下侧部位和上侧部位的异物分别排出至所述下部主体的外部，所述排出单元包括：送风机...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳汉吉，
申请(专利权)人：泰拉半导体株式会社，
类型：发明
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