一种半导体紫外光源器件制造技术

本发明专利技术提出一种半导体固态紫外光源器件，所述器件的外延结构包括：一N型AlGaN层，一P型AlGaN层，和一包裹在所述N型AlGaN层和所述P型AlGaN层中的AlGaN/AlGaN多量子阱发光区，所述外延结构的外延生长面是面，形成在衬底上，其中，所述衬底为M-面蓝宝石衬底，该蓝宝石衬底表面有微米或亚微米尺寸的蓝宝石凸起。本发明专利技术通过调整AlInGaN材料的外延生长方向，降低发光区多量子阱中的极化电场，减少量子垒、阱的能带边倾斜，降低紫外LED的正向工作电压，提高量子阱的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体固态紫外光源器件，所述器件的外延结构包括：一N型AlGaN层，一P型AlGaN层，和一包裹在所述N型AlGaN层和所述P型AlGaN层中的AlGaN/AlGaN多量子阱发光区，所述外延结构的外延生长面是面，形成在衬底上，其特征在于，所述衬底为M?面蓝宝石衬底，该衬底表面有微米或亚微米尺寸的蓝宝石凸起。FDA00003450397900011.jpg,FDA00003450397900012.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张剑平，岳金顺，张国华，
申请(专利权)人：青岛杰生电气有限公司，
类型：发明
国别省市：