【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成的第一栅电极；以及在所述第一栅电极和所述半导体衬底之间形成的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜在其中包括电荷存储部，其中，所述第一绝缘膜包括第一氧化硅膜、在所述第一氧化硅膜上方的氮化硅膜以及在所述氮化硅膜上方的第二氧化硅膜，并且其中，金属元素以1×1013至2×1014原子/cm2的表面密度存在于所述氮化硅膜和所述第二氧化膜之间或所述氮化硅膜中。
【技术特征摘要】
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