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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提供一种具有非易失性存储器的半导体器件，其具有提高的电性能。存储器栅电极经由绝缘膜被形成在半导体衬底上方。绝缘膜是其中具有电荷存储部的绝缘膜，并包括第一氧化硅膜、在第一氧化硅膜上方的氮化硅膜以及在氮化硅...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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