一种测量取向硅钢晶粒取向差的方法技术

技术编号:9112459 阅读:170 留言:0更新日期:2013-09-05 01:39
本发明专利技术属于通过测量背散射测试晶体结构技术领域,涉及一种利用电子背散射衍射(EBSD)技术检测取向硅钢晶粒取向差的方法。本发明专利技术采用EBSD检测晶粒取向的原理,测量所取试样内每个晶粒的欧拉角,计算相邻晶粒间的取向差以及该晶粒与标准高斯织构的取向差,得到磁感应强度与取向差之间的对应关系。该方法具有操作简单、测量速度快、测量区域大,表达直观易懂、所得结果具有代表性等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种测量取向硅钢晶粒取向差的方法,其特征在于:采用电子背散射衍射方法,包括如下步骤:①制样:在待测取向硅钢成品上截取面积不小于100*10mm2的试样,且至少包括15个晶粒,对所取的试样的表面进行机械抛光,然后再进行电解抛光,制成检测样;②采用装配在扫描电镜上的电子背散射衍射系统测量检测样选定区域的晶粒位向信息,其中,所述选定区域不小于1.2*1.2mm2;③将电子背散射衍射系统所采集的晶粒位向信息输入OIMAnalysis分析软件进行分析,得到各个晶粒的欧拉角,根据每个晶粒的欧拉角计算出晶粒间的取向差Ψ1以及晶粒与标准高斯织构的取向差Ψ2,从而得到平均取向差Ψ,且Ψ=(Ψ1+Ψ2)/2。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:仇圣桃樊立峰项利张晨凌晨付兵干勇李军
申请(专利权)人:钢铁研究总院中达连铸技术国家工程研究中心有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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