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自模板法制备中空硅球的方法技术

技术编号:9106490 阅读:198 留言:0更新日期:2013-09-04 19:03
本发明专利技术属于自模板法制备中空硅球的方法,以带正电荷的聚甲基丙烯酸二甲氨基乙酯或者聚二甲胺基丙基甲基丙烯酰胺线型聚合物为硅球表面稳定剂,表面带负电荷的二氧化硅微球为模板,通过静电复合将表面稳定剂吸附在硅球表面,随后在碱性刻蚀剂的存在下,反应刻蚀掉硅球的内部组份,再经离心、水洗、醇洗、干燥后,得到中空硅球。本发明专利技术制备过程以二氧化硅微球自身为模板,无需任何模板、不用高温高压和惰性气体保护,反应体系简单易行、条件温和、易于大规模生产。利用该方法制备的中空硅球的直径为一百纳米到几百个纳米和壁厚为几个纳米到几十个纳米。由此制备的中空硅球可用于化学工程、环境保护、分离吸附、生物医学和药物传递等诸多领域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种通过自模板法制备中空硅球的制备方法,其特征是:以带正电荷的聚甲基丙烯酸二甲氨基乙酯或者聚二甲胺基丙基甲基丙烯酰胺线型聚合物为硅球表面稳定剂,表面带负电荷的二氧化硅微球为模板,通过静电复合将表面稳定剂吸附在硅球表面,随后在碱性刻蚀剂的存在下,反应刻蚀掉硅球的内部组份,再经离心、水洗、醇洗、干燥后,得到中空硅球。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张建华郭睿威董岸杰
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

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