气体阻隔性膜及电子器件制造技术

本发明专利技术的目的在于提供气体阻隔性能、耐热性优异的气体阻隔性膜和使用了其的耐久性优异的电子器件。本发明专利技术在基材上按以下顺序具有通过物理蒸镀法或化学蒸镀法形成了的含有Si和N的第1气体阻隔层和涂布含有聚硅氮烷化合物的溶液而形成了的第2气体阻隔层，该第2气体阻隔层照射真空紫外线而实施改性处理，在将各自的层的组成用SiOxNy表示时，该第2气体阻隔层的厚度方向中的组成SiOxNy的分布满足由下述(A)规定的条件。(A)该第2气体阻隔层在厚度方向具有50nm以上的0.25≤x≤1.1且0.4≤y≤0.75的区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：森孝博，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：
国别省市：