石墨结构体及使用该石墨结构体的电子器件制造技术

本发明专利技术提供一种石墨结构体及使用该石墨结构体的电子器件，该石墨结构体是将高热传导性材料的15μm以下的石墨板(1)层叠而成的石墨结构体。贯通所述石墨板(1)的层叠体的表面和背面的贯通孔(2)的内周面由厚度为10~200nm的Ti层(3)覆盖，并且在所述贯通孔(2)的内侧形成有连通孔(4)。根据该结构，能够维持石墨的高热导电率并实现薄型化和高可靠性。

【技术实现步骤摘要】
石墨结构体及使用该石墨结构体的电子器件
本专利技术涉及有效地使热从发热的半导体器件、车载用装置、电子设备中扩散、释放来消除因热产生的问题，并维持、改善其功能从而获得高可靠性。
技术介绍
关于半导体器件、车载部件等，为了避免由于其高输出造成器件的一部分或全部变为高温而产生的功能下降或者停止，迄今一直在研究将其热量传导、释放到Cu制均热片、Al制散热片或者基片、壳体上。因此，使用金属或碳化物等热传导率高的物质作为热传导及散热的材料。专利文献1提出了一种用纳米碳作为第一层并在其上层层积非晶硅材料来作为第二层的结构。其记载了：在该结构中，第一层纳米碳的结晶性得到提高，膜内的热传导率得到改善，能够实现比现有的传热组件更小型化。该方法中，热传导率在膜内方向约为950~1600W/mk、在膜厚方向为1.5~3.0W/mk，高效地经由第一纳米碳层使来自发热部位的热传导到膜内来进行热扩散，纳米碳层和非晶硅层的厚度均薄至1~20nm，它们的厚度较薄，不足以将可能在局部大量产生的热传出。由于该结构的制造方法为薄膜工艺(真空装置)，因此需要长时间来增加膜厚，不适用于传导大发热量。此外，在器件、电子设备驱动时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨结构体，其特征在于，包括：石墨板，该石墨板以和基面平行的方式层叠而成；贯通孔，该贯通孔从所述石墨板的与所述基面平行的表面贯通至背面；以及覆盖层，该覆盖层通过与所述石墨板的碳原子形成化合物的金属来覆盖所述贯通孔的内周面，在内周面被所述覆盖层覆盖的所述贯通孔的更内侧形成有连通所述石墨板的所述表面和所述背面的连通孔。

【技术特征摘要】
2012.02.15 JP 2012-030026;2012.12.28 JP 2012-28641.一种石墨结构体，其特征在于，包括：石墨板，该石墨板以和基面平行的方式层叠而成；贯通孔，该贯通孔从所述石墨板的与所述基面平行的表面贯通至背面；以及覆盖层，该覆盖层通过与所述石墨板的碳原子形成化合物的金属来覆盖所述贯通孔的内周面，在内周面被所述覆盖层覆盖的所述贯通孔的更内侧形成有连通所述石墨板的所述表面和所述背面的连通孔。2.如权利要求1所述的石墨结构体，其特征在于，覆盖层从所述贯通孔的内侧遍及所述石墨板的所述表面和背面。3.如权利要求1所述的石墨结构体，其特征在于，所述连通孔的开口形成为向外扩展。4.如权利要求1所述的石墨结构体，其特征在于，所述石墨板具有配置电子部件的配置区域和不配置电子部件的周边区域，对于所述贯通孔的总面积密度，所述周边区域比所述配置区域分布得更多。5.如权利要求4所述的石墨结构体，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：西川和宏，西木直巳，北浦秀敏，中谷公明，田中笃志，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：