一种具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种采取两步法制备高纯度、粒径分布均一且具有硅氢保护壳层的纳米球硅的制备方法：第一步，先通过电弧等离子体的方法制得尺寸规整、分布均一的微米级硅粒，不引入杂质；第二步，通过酸性有机组合物进一步去除微米硅表面氧化物，通过碾蚀作用得到纳米球硅，且同时发生接枝反应形成硅氢保护壳层。本发明专利技术所述制备方法制得的纳米球硅保证了初始尺寸和尺寸分布的均一性，而且纳米球硅表面的硅氢保护壳层可增强纳米硅的抗氧化性，有效解决团聚问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在直流电弧等离子发生器中通入保护气氛，将硅棒装入发生器阳极中并成为阳极的一部分，制得1?50微米的球形硅微粒；2）在保护气氛下将步骤1得到的微米级球形硅进行物理研磨，同时通入60份?80份的醇化合物、20份?35份的有机物和5份?10份的酸性物质，所述酸性物质通过物理研磨清除微米硅表面的氧化物等杂质，所述有机物接枝到纳米球硅表面形成硅氢保护壳层，温度控制在60℃?80℃；在物理研磨和化学接枝反应的双重作用下，微米级纳米硅粒形成形状规整的纳米级球形硅粒，并且在硅粒表面形成硅氢化合物保护壳层；?3）经步骤2研磨后的纳米级球形硅粒经过清洗后再喷雾干燥，使其含水量控制在1%以下，将纳米球硅收集后在保护气氛下包装即可。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈晓东，刘国钧，唐云俊，杨小旭，蒋红彬，
申请(专利权)人：苏州金瑞晨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：