纳米硅硼浆及其应用于制备太阳能电池的方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米硅硼浆及其应用于制备N型复合发射极和改良P型太阳能电池的方法。本发明专利技术采用纳米硅硼浆为载体，通过激光或高温处理在太阳能电池背面银栅线覆盖区实现局部硼掺杂。当所述方法用于生产N型电池时，结合通常的铝浆烧结工艺制备N型复合发射极电池，解决了普通铝浆烧结工艺仅在铝浆覆盖区形成发射极在银栅线覆盖区发射极不连续的缺陷，从而提升N型铝发射极电池的光电转换效率。当所述方法用于生产P型电池时，结合通常的铝浆烧结工艺制备改良P型电池，解决了普通P型电池仅在铝浆覆盖区形成背场在银栅线覆盖区背场不连续的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米硅硼浆，其特征在于，按重量配比，含有10～50份纳米硅粉、20～100份溶剂、0～20份添加剂，纳米硅的粒径为10～200纳米；其中，所述纳米硅粉含有单质硼或硼化合物或二者混合物，其组成为50‑100份硅、0.05‑50份硼、0‑50份硼化合物；所述硼化合物含有硼化硅或三氧化二硼或二者混合物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋红彬，沈晓东，毛立中，刘国钧，
申请(专利权)人：苏州金瑞晨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32