【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种三维集成传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A.提供信号处理电路芯片和传感器芯片,其中，定义所述信号处理电路芯片中制造有信号处理电路的一面为正面，定义所述传感器芯片中制造有传感器的一面为正面；B.在所述信号处理电路芯片上制造穿透整个芯片厚度的三维互连；C.在所述信号处理电路芯片的背面制造凹槽阵列，每个凹槽与所述传感器芯片上的传感单元位置对应；D.利用金属凸点键合或高分子层键合，将所述传感器芯片与所述信号处理电路芯片集成，其中，所述传感器芯片正面与所述信号处理电路芯片的背面相对，所述传感器与所述信号处理电路芯片之间通过所述三维互连实现电学连接。
【技术特征摘要】
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