用于利用HVPE工艺异质外延沉积III族氮化物半导体材料的改进的模板层制造技术

在基材上沉积III族氮化物半导体材料的方法包括在成核HVPE工艺阶段中在基材表面上沉积III族氮化物半导体材料的层，以形成具有包括至少一些非晶III族氮化物半导体材料的微结构的成核层。所述成核层可进行退火以在基材表面上形成外延成核材料的晶岛。所述外延成核材料的岛可在聚结HVPE工艺阶段中生长和聚结以形成外延成核材料的成核模板层。所述成核模板层可至少基本上覆盖基材的表面。可在另外的HVPE工艺阶段中在所述外延成核材料的成核模板层上沉积另外的III族氮化物半导体材料。通过这种方法形成包括III族氮化物半导体材料的最终结构和中间结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例一般涉及用于在基材上沉积III族氮化物材料的方法，以及通过这种方法形成的结构。更特别地，本专利技术的实施例涉及用于在包括生长模板层的基材上沉积III族氮化物材料的方法，以及通过这种方法形成的结构，所述生长模板层包括金属氮化物材料。
技术介绍
化学汽相沉积(CVD)是用于在基材上沉积固体材料的化学工艺，并且通常用在半导体设备的制造中。在化学汽相沉积工艺中，将基材暴露在一种或多种试剂气体中，所述一种或多种试剂气体以在基材表面上产生固体材料的沉积的方式反应、分解或者反应和分解两者。一种特殊类型的CVD工艺在本领域中被称为汽相外延(VPE)。在VPE工艺中，将基材暴露在反应室中的一种或多种试剂蒸气中，所述一种或多种试剂蒸气以在基材表面上产生固体材料的外延沉积的方式反应、分解或者反应和分解两者。VPE工艺通常用于沉积II1-V型半导体材料。当VPE工艺中的试剂蒸气中的一种包括卤化物蒸气时，该工艺可称为卤化物汽相外延(HVPE)工艺。利用VPE工艺 形成III族氮化物半导体材料(例如氮化镓(GaN))是本领域已知的，在VPE工艺中金属有机(MO)前体材料在反应室中分解以形成I本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·阿里纳，R·T·小伯特伦，E·林多，S·马哈詹，I·韩，
申请(专利权)人：SOITEC公司，代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会，
类型：
国别省市：