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在基材上沉积III族氮化物半导体材料的方法包括在成核HVPE工艺阶段中在基材表面上沉积III族氮化物半导体材料的层，以形成具有包括至少一些非晶III族氮化物半导体材料的微结构的成核层。所述成核层可进行退火以在基材表面上形成外延成核材料的晶岛...该专利属于SOITEC公司;代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会所有，仅供学习研究参考，未经过SOITEC公司;代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会授权不得商用。