【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路芯片的超精细加工
，特别涉及。
技术介绍
随着集成电路制造工艺特征尺寸的不断减小，集成电路制造技术遇到了空前挑战。尤其，在32/28nm以下的主流半导体器件制造过程中，电路表面的平整度是影响光刻聚焦深度水平及良品率的重要因素。因此，如何实现半导体芯片表面超精细加工成为当前集成电路制造中一个重要技术问题。目前，实现芯片表面超精细加工，使用最广泛的平坦化技术是化学机械研磨(CMP)技术。如图1所示，化学机械研磨的装置是将晶圆吸附在晶圆携载器上，然后将晶圆按压在旋转工作台表面的研磨垫上，同时向研磨垫输入含有研磨粒子、氧化剂和表面活性剂等成分的研磨液使晶圆浸在研磨液中。研磨过程中，在化学蚀刻与机械磨削两种材料移除机制的交互作用下使晶圆达到平坦化。在集成电路制备过程中，由于特征尺寸的减小直接导致芯片制造过程中出现各种微观效应，化学机械研磨液中大量研磨粒子容易因分子间相互作用形成物理吸附。随着时间的增长，突出的颗粒团聚效应将严重影响晶圆表面的平坦化程度，对芯片表面造成很大程度的损伤及缺陷，因此，控制研磨颗粒间的吸附尤为重要。为避免颗粒吸附，通常的...
【技术保护点】
一种化学机械研磨液配置优化的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤A：选定化学机械研磨的工艺条件；步骤B：根据选定的工艺条件，获取预设的研磨液中研磨粒子的种类、大小、浓度及电荷分布和高分子表面活性剂的种类、大小、浓度及电荷分布作为当前研磨液配置数据；步骤C：根据所述当前研磨液配置数据和高分子参考作用点模型获取与所述当前研磨液配置数据对应的研磨液分散特性数据；步骤D：判断所述研磨液分散特性数据是否满足所述研磨粒子和高分子表面活性剂的空间分布的分散稳定性标准，如果否，进入步骤E，如果是，进入步骤F；步骤E：调整所述当前研磨液配置数据中的研磨粒子的种类、大小、浓度和电荷分布...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐勤志，陈岚，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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