一种外延InSb衬底的表面处理方法技术

本发明专利技术公开了一种外延InSb衬底的表面处理方法，包括：步骤1，清洗待处理的InSb晶片，并将清洗后的InSb晶片进行干燥处理；步骤2，配制腐蚀液，并将干燥处理后的InSb晶片放入腐蚀液中进行湿化学处理；其中，配制的腐蚀液为配比为0.05%～10%的溴-甲醇，或者，HNO3:HF:CH3COOH:DI?H2O的配比为1～5：0.5～5：0.5～5：5～100的CP4体系溶液；步骤3，对湿化学处理后的InSb晶片进行冲洗，并将冲洗后的InSb晶片进行干燥处理，得到表面处理后的InSb晶片。本发明专利技术所述方法在去除晶片表面自然氧化层的同时，在表面形成一层新的氧化层，该氧化层厚度更薄，脱氧温度也大大降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
分子束外延技术由于生长均匀，可原位掺杂、实时控制等优点，受到越来越多的材料研究者的青睐。近年来，随着能带工程的深入研究和分子束外延技术的逐渐发展成熟，出现了一系列基于分子束外延技术的新材料，如超晶格、量子阱等。InSb作为一种稳定的II1-V族二元化合物半导体材料，制备工艺相对成熟，易于获得位错密度极低的高质量的材料，并且可以获得大面积的晶圆材料，因此，是一种理想的外延衬底材料。另外，InSb的晶格常数与InAlSb、InAsSb及MCT等多种外延材料失配度极低，可以作为这些材料的衬底生长出低缺陷密度的高质量外延薄膜。分子束外延逐层生长的特性要求衬底要有一个原子级的光滑平整的表面，InSb衬底表面有机杂质沾污、颗粒、金属离子和自然氧化层将阻止正常外延生长并成为外延层内缺陷的主要起因。因此在外延生长前，必须经过特殊处理将衬底表面吸附的杂质去除干净，才能生长随后的薄膜。对InSb衬底的处理通常要求去除掉衬底表面的杂质、沾污等，并形成一层氧化膜保护层。在外延生长之前，需要将该氧化层去除干净，暴露出新鲜的InSb原子层。通常采用的方法是在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种外延InSb衬底的表面处理方法，其特征在于，包括：步骤1，清洗待处理的InSb晶片，并将清洗后的InSb晶片进行干燥处理；步骤2，配制腐蚀液，并将干燥处理后的InSb晶片放入所述腐蚀液中进行湿化学处理；其中，配制的腐蚀液为配比为0.05%～10%的溴?甲醇，或者，HNO3:HF:CH3COOH:DI?H2O的配比为1～5：0.5～5：0.5～5：5～100的CP4体系溶液；步骤3，对湿化学处理后的InSb晶片进行冲洗，并将冲洗后的InSb晶片进行干燥处理，得到表面处理后的InSb晶片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程鹏，赵超，刘铭，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：