一种制冷型焦平面红外探测器件制造技术

技术编号:41523109 阅读:26 留言:0更新日期:2024-06-03 22:56
本申请公开了一种制冷型焦平面红外探测器件,包括:探测器芯片,背面电极电连通,背面电极的一个表面镀有增透膜,台面像素设置于背面电极的另一个表面,台面像素的数量为多个、相互分立,且任一台面像素外围包覆有钝化层,且任一台面像素所包覆的钝化层上开设有第一通孔,以基于第一通孔使得对应的正面电极可接入台面像素,各正面电极之间相互独立、不相连,任一正面电极基于相应的钝化层上的通孔接入台面像素;互连结构,数量与正面电极数量相同,且与相应的正面电极接触设置;读出电路。本申请改变台面深度及磨抛预留厚度,设置背面电极结构,实现分立式像素阵列结构,缓解热失配应力造成的裂片等问题,提高了器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及红外探测器,尤其涉及一种制冷型焦平面红外探测器件


技术介绍

1、红外焦平面探测器器件一般分为平面型和台面型,平面型是在红外探测器材料衬底表面制备掩模,通过注入等方式形成阵列式pn结,具有工艺简单、易于钝化、表面漏电低、可靠性高的特点;台面型是在红外探测器材料衬底表面通过分子束外延等方式生长外延层或者通过扩散等方式形成pn结平面,之后通过刻蚀等方式制备台面结构,实现阵列式pn结间的隔离,具有工艺简单、串音小的特点。串音影响探测器图像的分辨能力,光生电子或空穴在相邻元读出造成串音,台面型像素单元之间存在物理隔离,隔离越深,结深越浅,台面型红外探测器串音越小,衬底相连处仍存在串音通路。随着像素尺寸降低,台面型像素单元的填充率受刻蚀工艺的深宽比的限制,影响探测器调制传递函数。平面结可以通过降低注入面积增加隔离结构等来减小串音,但是也会降低填充率。

2、制作红外探测器器件所用的材料可以是碲镉汞、锑化铟、二类超晶格、非本征硅等材料。红外探测器的芯片一般通过铟柱实现与硅基电路的倒装互连,之后灌封填充胶,对于制冷型红外探测器器件一般工作在深低温,如本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制冷型焦平面红外探测器件,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的制冷型焦平面红外探测器件,其特征在于,所述背面电极(001)为网格状或线条状,所述背面电极(001设置于台面像素上表面的四周、两侧或内部;

3.如权利要求2所述的制冷型焦平面红外探测器件,其特征在于,所述背面电极(001)与所述台面像素(003)上表面接触区域设置有第二通孔,所述第二通的孔形状为方形、条形、框形或圆饼形。

4.如权利要求3所述的制冷型焦平面红外探测器件,其特征在于,所述正面电极(004)的形状为方形、条形、框形或圆饼形,所述第一通孔的孔形状为方形、条形、框形或圆...

【技术特征摘要】

1.一种制冷型焦平面红外探测器件,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的制冷型焦平面红外探测器件,其特征在于,所述背面电极(001)为网格状或线条状,所述背面电极(001设置于台面像素上表面的四周、两侧或内部;

3.如权利要求2所述的制冷型焦平面红外探测器件,其特征在于,所述背面电极(001)与所述台面像素(003)上表面接触区域设置有第二通孔,所述第二通的孔形状为方形、条形、框形或圆饼形。

4.如权利要求3所述的制冷型焦平面红外探测器件,其特征在于,所述正面电极(004)的形状为方形、条形、框形或圆饼形,所述第一通孔的孔形状为方形、条形、框形或圆饼形,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:谭启广李忠贺张轶吴卿赵建忠
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十一研究所
类型:发明
国别省市:

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