【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体薄膜外延生长设备，特别是一种用于半导体薄膜外延生长的样品托盘，属于半导体外延生长
技术介绍
半导体薄膜材料是一种应用广泛的半导体材料，它支撑着整个半导体电子产品的水平和发展，比如II1-V族化合物特别适用于生长光电器件。目前大多数半导体薄膜材料都由MOCVD、HVPE、PECVD、ALD、MBE等方法制备，其中MOCVD具有生长效率较高、控制精度好、成本相对较低等优势，是当前产业上最为广泛采用的方法，目前通常应用于II1-V化合物材料的生长。样品托盘是材料生长设备中用于放置已有衬底或者材料并用于进一步生长的一种托盘结构。衬底放置于样品托盘里的片槽内，通过物理或者化学反应，可以生长得到各种半导体薄膜材料。随着材料生长技术的不断进步，同时也为了降低材料生长成本，6英寸和8英寸的样品托盘已经广泛应用于材料外延生长领域中。然而研究发现，6英寸和8英寸的样品托盘中外延片外围的均匀性较差，这是由于在生长时6英寸或8英寸样品之间存在较大的间隔，这些间隔会影响生长均匀性，间隔区的源材料会扩散到样品边缘生长，从而造成6英寸或8英寸样品边缘的生...
【技术保护点】
一种提升材料生长产能和改善均匀性的样品托盘，包括样品托盘本体，其特征在于：所述样品托盘本体上端面的选定区域内密集分布有两个以上第一片槽，而所述样品托盘本体上端面上除所述选定区域之外的其余区域内还分布有至少一第二片槽，所述第一片槽的直径为4英寸、6英寸或8英寸，所述第二片槽的直径为2英寸或4英寸，且所述第一片槽的直径大于第二片槽的直径。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙钱，严威，冯美鑫，杨辉，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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