一种化合物半导体的金属化结构制造技术

本发明专利技术公开了一种化合物半导体的金属化结构，包括：化合物半导体衬底，以及自衬底向上依次制备的第一层金属薄膜、第二层金属薄膜、第三层金属薄膜和电极层金属薄膜，形成金属化层状结构；其中，各层金属薄膜的厚度均小于1μm，且各层金属薄膜的总厚度小于2μm；第一层金属薄膜的材料为与化合物半导体衬底材料的共晶点在150～450℃范围内的金属材料；第二层金属薄膜的材料为激活能在150～500kJ/mol范围内的金属材料；第三层金属薄膜的材料为与第二层金属薄膜材料和电极层金属薄膜材料在硬度和弹性模量两个力学参数上相匹配的金属材料。本发明专利技术实现了化合物半导体器件的金属化结构既具备良好电学特性，又具备稳定的力学结合强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种化合物半导体的金属化结构。
技术介绍
随着信息技术的不断发展，化合物半导体在微电子学和光电子学领域中发挥的作用越来越巨大。以碲镉汞(HgCdTe)、锑化铟(InSb)、铟镓砷(InGaAs)等化合物半导体为基础材料制备的红外焦平面阵列已成为当今红外探测器发展的主流。此类红外焦平面探测器在目标搜寻、导弹预警探测、情报侦察等领域有着广阔的应用前景。InGaAs, InSb是典型的II1-V族化合物半导体，HgCdTe是典型的I1- VI族化合物半导体。在半导体器件工艺中，每个半导体器件都需要金属化，从而形成金属和半导体的欧姆接触，以实现良好的电特性，用于红外探测器制备的化合物半导体器件也不例外。但是红外探测器会工作在许多恶劣的环境下，比如高压力、高真空等宇航太空环境中，金属化结构可能与化合物半导体分离，导致器件失效。因此，对用于红外探测器的金属化结构提出了更严格的要求，就是既要满足可以形成小的欧姆电阻的电学特性要求，又要满足能与化合物半导体有稳定的力学接触的要求。在夏普公司，专利号86108717中，指出了一种GaAlAs等化合物半导体底板上，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物半导体的金属化结构，其特征在于，包括：化合物半导体衬底，以及自化合物半导体衬底向上依次制备的第一层金属薄膜、第二层金属薄膜、第三层金属薄膜和电极层金属薄膜，形成化合物半导体的金属化层状结构；其中，各层金属薄膜的厚度均小于1μm，且各层金属薄膜的总厚度小于2μm；所述第一层金属薄膜的材料为与化合物半导体衬底材料的共晶点在150℃～450℃范围内的金属材料；所述第二层金属薄膜的材料为激活能在150kJ/mol～500kJ/mol范围内的金属材料；所述第三层金属薄膜的材料为与第二层金属薄膜材料和电极层金属薄膜材料在硬度和弹性模量两个力学参数上相匹配的金属材料。

【技术特征摘要】
1.一种化合物半导体的金属化结构，其特征在于，包括:化合物半导体衬底，以及自化合物半导体衬底向上依次制备的第一层金属薄膜、第二层金属薄膜、第三层金属薄膜和电极层金属薄膜，形成化合物半导体的金属化层状结构； 其中，各层金属薄膜的厚度均小于I U m,且各层金属薄膜的总厚度小于2 u m ;所述第一层金属薄膜的材料为与化合物半导体衬底材料的共晶点在150°C 450°C范围内的金属材料；所述第二层金属薄膜的材料为激活能在150kJ/mol 500kJ/mol范围内的金属材料；所述第三层金属薄膜的材料为与第二层金属薄膜材料和电极层金属薄膜材料在硬度和弹性模量两个力学参数上相匹配的金属材料。2.如权利要求1所述的化合物半导体的金属化结构，其特征在于，所述第三层金属薄膜的厚度大于所述第二层金属薄膜和所述电极层金属薄膜的厚度。3.如权利要求2所述的化合物半导体的金属化结构，其特征在于，所述第一层金属薄膜的厚度为200 6000埃；所述第二层金属薄膜的厚度为100 3000埃；所述第三层金属薄膜的厚度为200 6000埃；所述电极层金属薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：史梦然，赵建忠，曹雪峰，孙浩，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：