具有高光利用率的薄膜太阳能电池及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种具有高光利用率的薄膜太阳能电池及其制造方法。该薄膜太阳能电池主要包括：一基板、一前电极、一P型半导体层、一本质(i)型半导体层、一N型半导体层、一第三透明导电层以及一背电极。通过多层透明导电膜的设置可增加前电极的雾度，本发明专利技术的薄膜太阳能电池可提升光利用率与整体光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术公开了一种薄膜太阳能电池，特别涉及一种。通过多层透明导电膜的设置可增加前电极的雾度，该薄膜太阳能电池可提升光利用率与电池整体光电转换效率。
技术介绍
由于人类意识到能源大量不足的严重性，故各种绿色环保能源相关研究渐受重视，其中又因太阳能供应无虞，且生产电能过程中不会产生环境污染，成为热门的替代能源，并带动太阳能电池产业蓬勃发展。从太阳表面所放射出来的能量，换算成电力约为3.8X 1023kff ;此太阳能的总量若以距离太阳一亿五千万公里的地球上换算所接收的太阳能量，以电力表示约为1.77 X 1014kW，此值约为全球平均年消耗电力的十万倍。因此，若能够有效的运用太阳能，则不仅能解决消耗性能源的问题，连环保问题也可一并获得解决。值得注意的是，在众多的太阳能电池技术中，薄膜太阳能电池因使用硅原料少、总光电转换量高及可以与建材结合等优点而备受瞩目。目前，以玻璃作为基板的薄膜太阳能电池，大多采用超基板(Superstrate)结构。超基板结构即在玻璃基板上镀透明导电层(Transparent Conductive Oxide,TC0)后，再依序镀上P-1-N三层硅薄膜层(又称光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高光利用率的薄膜太阳能电池，其特征在于，包括：一基板；一前电极，被覆于该基板的表面，用以提升光的利用率，该前电极包括一第一透明导电层；以及一第二透明导电层，被覆于该第一透明导电层的表面；一P型半导体层，被覆于该前电极的表面，用于产生电洞；一本质型半导体层，被覆于该P型半导体层的表面，用于提高可见光谱光子的吸收范围；一N型半导体层，被覆于该本质半导体层的表面，用于产生电子；一第三透明导电层，被覆于该N型半导体层的表面；以及一背电极，被覆于该第三透明导电层的表面，用以取出电能；其中，前电极的平均雾度值为15％至30％间，且第二透明导电层的膜厚范围为6奈米至20奈米间。

【技术特征摘要】
1.一种具有高光利用率的薄膜太阳能电池，其特征在于，包括: 一基板； 一前电极，被覆于该基板的表面，用以提升光的利用率，该前电极包括一第一透明导电层；以及一第二透明导电层，被覆于该第一透明导电层的表面； 一 P型半导体层，被覆于该前电极的表面，用于产生电洞； 一本质型半导体层，被覆于该P型半导体层的表面，用于提高可见光谱光子的吸收范围； 一 N型半导体层，被覆于该本质半导体层的表面，用于产生电子； 一第三透明导电层，被覆于该N型半导体层的表面；以及 一背电极，被覆于该第三透明导电层的表面，用以取出电能； 其中，前电极的平 均雾度值为15%至30%间，且第二透明导电层的膜厚范围为6奈米至20奈米间。2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述第二透明导电层为氧化铝锌(AZO)。3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层的结晶尺寸为25奈米至800奈米间。4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述第二透明导电层的结晶尺寸为20奈米至500奈米间。5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层、第二透明导电层与第三透明导电层的制备方法选自溅镀法、蒸镀法、化学气相沉积法、化学喷雾法、溶胶-凝胶法、浸溃法、旋转涂布法或脉冲磁控溅镀法之一。6.一种具有高光利用率的薄膜太阳能电池的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炳寰，张嘉宏，连水养，
申请(专利权)人：亚树科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：