一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，属于液晶显示技术领域，其可解决现有的阵列基板制备工艺复杂、成本高的问题。本发明专利技术的阵列基板，包括：薄膜晶体管区和显示区，所述薄膜晶体管区包括薄膜晶体管和第一透明导电层，所述显示区包括第一透明电极，所述薄膜晶体管区第一透明导电层与所述显示区第一透明电极同层设置且两者互不连接，所述薄膜晶体管设置在所述透明导电层上方。本发明专利技术提供的阵列基板，将第一透明电极、半导体有源层、欧姆接触层和源漏电极采用一次构图工艺形成，简化了制作工艺，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于液晶显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)是一种重要的平板显示设备。根据驱动液晶的电场方向，可以分为垂直电场型和水平电场型。垂直电场型需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极，如常用的TN模式；而水平电场型则需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极，如ADS模式(高级超维场转换模式)。ADSDS (简称ADS)是京东方自主创新的以宽视角技术为代表的核心技术统称。ADS是指平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术(ADvancedSuper Dimension Switch),其核心技术特性描述为:通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-1XD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率1-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。如图1所示为现阶段常用的ADS底栅型阵列基板的器件结构图，包括:薄膜晶体管(栅极1、源极4-1、漏极4-2)、第一透明电极层2 (公共电极)、半导体层6、掺杂半导体层5、第一钝化绝缘层7以及在漏极4-2上设有过孔A用于连接像素电极8。对于ADS型阵列基板的制作，使用较多的5次光刻(Mask)工艺。采用5次光刻(Mask)工艺制备阵列基板，工艺复杂，开发费用较高。另外，对于液晶面板，为防止漏光，通常在彩膜基板上制作黑矩阵，同时，由于彩膜基板和阵列基板需要 经过对位形成液晶面板，而在对位过程中，为防止由于对位不准确而造成不能完全遮盖漏光的现象，通常通过增加黑矩阵的宽度来解决此问题，但这样会降低液晶面板的开口率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题包括，针对现有的阵列基板开口率低且容易因对位偏差导致漏光的问题，提供开口率高且不易产生漏光的阵列基板及其制备方法、显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括:薄膜晶体管区和显示区，所述薄膜晶体管区包括薄膜晶体管和第一透明导电层，所述显示区包括第一透明电极，所述薄膜晶体管区第一透明导电层与所述显示区第一透明电极同层设置且两者互不连接，所述薄膜晶体管设置在所述薄膜晶体管区透明导电层上方。优选的是，所述薄膜晶体管区还包括黑矩阵，所述黑矩阵设置在第一透明导电层和薄膜晶体管之间。进一步优选的是，还包括:第一钝化绝缘层，且所述第一钝化绝缘层设于薄膜晶体管区第一透明导电层和显示区第一透明电极层上。优选的是，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。进一步优选的是，上述顶栅型阵列基板还包括:栅极绝缘层、第二钝化绝缘层以及像素电极层，所述栅极绝缘层设于薄膜晶体管栅极下方；所述薄膜晶体管栅极上方设有第二钝化绝缘层，且薄膜晶体管漏极上方的栅极绝缘层和第二钝化绝缘层中设有过孔；所述像素电极设于第二钝化绝缘层上，且通过所述过孔与薄膜晶体管的漏极连接。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板制备方法，所述阵列基板包括黑矩阵、公共电极和薄膜晶体管，包括如下步骤:在基板上通过一次构图工艺形成包括第一透明电极、黑矩阵、半导体有源层、欧姆接触层、薄膜晶体管漏极和源极的图形。本专利技术的通过一次构图工艺形成第一透明电极、黑矩阵、半导体有源层、欧姆接触层、薄膜晶体管漏极和源极的图形，工艺简单，同时黑矩阵设于阵列基板上，可以有效地避免当黑矩阵与彩膜基板对盒时产生对位偏差，导致漏光，进而导致开口率下降的问题。优选的是，所述通过一次构图工艺形成第一透明电极、黑矩阵、半导体有源层、欧姆接触层、薄膜晶体管漏极和源极的图形的同时还形成了包括第一钝化绝缘层的图形。 进一步优选的是，所述在基板上通过一次构图工艺形成包括第一透明电极、第一钝化绝缘层、黑矩阵、半导体有源层、欧姆接触层、薄膜晶体管漏极和源极层的图形具体包括:在基板上依次沉积第一透明导电材料、第一钝化绝缘材料层、黑矩阵层、半导体层、掺杂半导体层、源漏金属层，并在漏源极金属层上涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行曝光、显影，其中位于显示区、连接区、有源区、源漏区的剩余光刻胶层厚度为第一厚度、第二厚度、第三厚度和第四厚度，且厚度依次增大，且显示区和连接区间的光刻胶断开；去除裸露的的源漏金属层；去除厚度为显示区光刻胶层厚度的光刻胶，以及裸露的掺杂半导体层；去除裸露的源漏金属层；去除厚度为连接区剩余光刻胶层厚度的光刻胶，以及裸露的半导体层；去除裸露的源漏金属层；去除有源区剩余光刻胶层厚度的光刻胶、裸露的掺杂半导体层，以及裸露的黑矩阵层；去除裸露的有源区的金属层；去除剩余的光刻胶层、裸露的半导体层、裸露的黑矩阵层，以及裸露的第一钝化绝缘材料层；通过刻蚀去除裸露的第一钝化绝缘材料层和第一透明导电材料层。优选的是，还包括以下步骤:在基板上通过一次构图工艺形成包括栅极绝缘层和薄膜晶体管栅极的图形；在完成上述步骤的基板上通过一次构图工艺形成包括第二钝化绝缘层的图形，且在薄膜晶体管上方的栅极绝缘层和第二钝化绝缘层中形成过孔；在完成上述步骤的基板上通过一次构图工艺形成包括像素电极的图形，所述像素电极通过所述过孔与薄膜晶体管的漏极连接。优选的是，所述对光刻胶层进行曝光包括:通过半色调掩膜板或灰阶掩膜版进行对光刻胶层进行曝光。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，包括上述阵列基板。本专利技术的阵列基板和显示装置，将第一透明电极、半导体有源层、欧姆接触层和源漏电极采用一次构图工艺形成·，简化了制作工艺，降低了成本。同时，将黑矩阵制作在阵列基板，就可以不用考虑因对盒造成的开口率的影响，黑矩阵可以做的更窄小，也就提高了开口率。附图说明图1为现有的ADS底栅型阵列基板的示意图；图2为本专利技术的实施例1的ADS顶栅型阵列基板的示意；图3为本专利技术的实施例2的ADS顶栅型阵列基板第一次光刻过程的示意图；图4为本专利技术的实施例2的ADS顶栅型阵列基板第一次光刻过程的流程图；以及，图5为本专利技术的实施例2中通过4次光刻形成ADS顶栅型阵列基板过程的示意图。其中附图标记为:1、栅极；2、第一透明电极层；2_1、薄膜晶体管区第一透明电极；2-2、显示区第一透明电极层(公共电极)；3、栅极绝缘层；4-1、源极；4-2、漏极；5、掺杂半导体层；6、半导体层；7-1、第一钝化层；7-2、第二钝化层；8、像素电极；9、黑矩阵；A、过孔；Q1、显示区；Q2、薄膜晶体管区；Q201、连接区；Q202、有源区；Q203、源漏区。具体实施例方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1:如图2所示，本实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括薄膜晶体管区和显示区，薄膜晶体管区包括:黑矩阵9、薄膜晶体管(包括栅极1、源极4-1、漏极4-2、半导体有源层6以及欧姆接触层5)、第一透明导电层2-1。薄膜晶体管区还包括设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括薄膜晶体管区和显示区，其特征在于，所述薄膜晶体管区包括薄膜晶体管和第一透明导电层，所述显示区包括第一透明电极，所述薄膜晶体管区第一透明导电层与所述显示区第一透明电极同层设置且两者断开，所述薄膜晶体管设置在所述薄膜晶体管区透明导电层上方。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括薄膜晶体管区和显示区，其特征在于，所述薄膜晶体管区包括薄膜晶体管和第一透明导电层，所述显示区包括第一透明电极，所述薄膜晶体管区第一透明导电层与所述显示区第一透明电极同层设置且两者断开，所述薄膜晶体管设置在所述薄膜晶体管区透明导电层上方。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管区还包括黑矩阵，所述黑矩阵设置在第一透明导电层和薄膜晶体管之间。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，还包括:第一钝化绝缘层，且 所述第一钝化绝缘层设于薄膜晶体管区第一透明导电层和显示区第一透明电极上。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括:栅极绝缘层、第二钝化绝缘层以及像素电极， 所述栅极绝缘层设于薄膜晶体管栅极下方； 所述薄膜晶体管栅极上方设有第二钝化绝缘层； 薄膜晶体管漏极上方的栅极绝缘层和第二钝化绝缘层中设有过孔； 所述像素电极设于第二钝化绝缘层上，且通过所述过孔与薄膜晶体管的漏极连接。6.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括黑矩阵、公共电极和薄膜晶体管，其特征在于，包括如下步骤: 在基板上通过一次构图工艺形成包括第一透明电极、黑矩阵、半导体有源层、欧姆接触层、薄膜晶体管漏极和源极的图形。7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成第一透明电极、黑矩阵、半导体有源层、欧姆接触层、薄膜晶体管漏极和源极的图形的同时还形成了包括第一钝化绝缘层的图形。8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在基板上通过构图工艺形成包括第一透明电极、第一钝化...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭霄，吕凤珍，储松南，张新霞，姜伟，向康，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：