本发明专利技术公开了一种显示面板和显示装置，包括像素区域和周边布线区域，其特征在于，所述像素区域和周边布线区域之间设置有检测开关，所述检测开关与像素区域的栅线和/或数据线均一一对应，所述检测开关用于控制像素区域和周边布线区域的连接与断开。采用本发明专利技术的显示面板，能够准确、快速的检测是否有短路或断路不良及不良发生的具体位置，在检测过程中仅需对小区域的信号线进行寸动检测，节省了检测时间，提高了检测效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种显示面板，尤其涉及一种能够检测短路不良的显示面板。
技术介绍
显示面板基于其低电压、辐射小、重量轻以及体积小等优点现越来越被大众所接受。而对于显示面板设计及制作者来说，期望的是制作出高质量、低成本、少瑕疵的产品。显示面板的外围电路常因需节省空间或其他因素，需要对外围电路路径做最佳设置。而无论外围电路如何变化，作为显示面板有两部分必不可少，一部分是连接集成电路(IC)与像素区域的周边布线区域，其功能是将IC输出的信号传入像素区域，使显示面板正常显示画面；另一部分是显示画面区域的像素区域。只要这两部分中的任何一部分发生断路或短路，显示面板显示就会出现线状不良，需维修人员以寸动方式，沿该线状不良从IC处一直移动到像素区域末端，来寻找该缺陷点进行修复。而现有的不良点的寻找方式速度有限，严重增加人力成本，浪费产能；长时间的寻找易造成维修人员的疲劳，降低缺陷点的搜寻效率。随着工艺的发展以及市场的需求，现在显示面板逐渐向窄、薄、轻方向发展；这对面板内部线路的要求越来越严格，为了实现窄边框，需要线路尽可能的细，间距尽可能的小。随着线路的变细，间距变小，面板内部发生短路与断路的可能性随之增加，此时对于短路与断路的定位与维修就十分重要。对于断路，已有很多方法，而对于短路不良的判定，为数不多。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种显示面板，采用该显示面板设计能够准确地、快速的检测出是否有短路和断路不良，及发生不良的具体位置。为此，本专利技术提供了一种显示面板，包括像素区域和周边布线区域，其特征在于，所述像素区域和周边布线区域之间设置有检测开关，所述检测开关与像素区域的栅线和/或数据线一一对应，所述检测开关用于控制像素区域和周边布线区域的连接与断开。优选地，所述检测开关包括第一薄膜晶体管，所述周边布线区域为栅线布线区域，所述第一薄膜晶体管的栅极与第一外接控制信号连接，所述第一薄膜晶体管的源极与所述栅线布线区域的信号线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述像素区域的栅线连接。优选地，所述显示面板还包括设置在显示面板与第一薄膜晶体管相对的一侧的第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的栅极与评估指示信号端子连接，所述第三薄膜晶体管的源极与第三外接信号线连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与奇数行栅线连接；所述第四薄膜晶体管的栅极与评估指示信号端子连接，所述第四薄膜晶体管的源极与第四外接信号线连接，所述第四薄膜晶体管的漏极与偶数行栅线连接。优选地，所述检测开关包括第二薄膜晶体管，所述周边布线区域为数据线布线区域，所述第二薄膜晶体管的栅极与第二外接控制信号连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述数据线布线区的信号线连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述像素区域的数据线连接。优选地，所述显示面板还包括设置在显示面板与所述第二薄膜晶体管相对的一侧的第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管的栅极与评估指示信号端子连接，所述第五薄膜晶体管的源极与所述第五外接信号线连接，所述第五薄膜晶体管的漏极与奇数行数据线连接；所述第六薄膜晶体管的栅极与评估指示信号端子连接，所述第六薄膜晶体管的源极与所述第六外接信号线连接，所述第六薄膜晶体管的漏极与所述偶数行数据线连接。优选地，所述检测开关包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，以及所述周边布线区域包括栅线布线区域和数据线布线区域；第一薄膜晶体管的栅极与第一外接控制信号连接，第一薄膜晶体管的源极与所述栅线布线区域的信号线连接，第一薄膜晶体管的漏极与所述像素区域的栅线连接；以及第二薄膜晶体管的栅极与第二外接控制信号连接，第二薄膜晶体管的源极与所述数据线布线区的信号线连接，第二薄膜晶体管的漏极与所述像素区域的数据线连接。优选地，所述显示面板还包括:设置在显示面板与检测开关相对的一侧的第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管、设置在显示面板与所述第二薄膜晶体管相对的一侧的第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的栅极与评估指示信号端子连接，所述第三薄膜晶体管的源极与第三外接信号线连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与奇数行栅线连接；所述第四薄膜晶体管的栅极与评估指示信号端子连接，所述第四薄膜晶体管的栅极与第四外接信号线连接，所述第四薄膜晶体管的漏极与偶数行栅线连接；所述第五薄膜晶体管的栅极与评估指示信号端子连接，所述第五薄膜晶体管的源极与所述第五外接信号线连接，所述第五薄膜晶体管的漏极与奇数行数据线连接；所述第六薄膜晶体管的栅极与评估指示信号端子连接，所述第六薄膜晶体管的源极与所述第六外接信号线连接，所述第六薄膜晶体管的漏极与所述偶数行数据线连接。本专利技术还提供了 一种显示装置，其包括上述的显示面板。本专利技术提供的显示面板，通过在像素区域和周边布线区域之间设置有检测开关，控制像素区域和周边布线区域的连接与断开，通过观察在连接和断开情况下奇数行/列和与其相邻偶数行/列像素的显示来判断是否有断路/短路不良的发生和不良发生的具体位置。附图说明通过结合附图的以下描述，将会更容易地理解本专利技术并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:图1示出了根据本专利技术第一实施例的显示面板的构造的示意图；图2示出了根据本专利技术第二实施例的显示面板的构造的示意图；以及图3示出了根据本专利技术第三实施例的显示面板的构造的示意图。具体实施例方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易于理解，下面结合附图对本专利技术的具体实施例进行详细描述。在本专利技术中，以示例方式，对本专利技术提出的显示面板进行了说明，但是本专利技术不限于所公开的优选实施例的具体形式。所属领域的技术人员可以根据本专利技术公开的内容对本专利技术进行修改和变型，这些修改和变型也应当属于由权利要求限定的本专利技术保护的范围。本专利技术提供的一种显示面板，包括像素区域和周边布线区域，像素区域和周边布线区域之间设置有检测开关，检测开关与像素区域的栅线一一对应，所述检测开关用于控制像素区域和周边布线区域的连接与断开。具体地，检测开关包括第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的栅极与第一外接控制信号连接，第一薄膜晶体管的源极与所述栅线布线区域的信号线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述像素区域的栅线连接。图1示出了根据本专利技术第一实施例的显示面板100的构造的示意图。如图1所示，根据本专利技术第一实施例的显示面板100包括处于中央的像素区域A、像素区域A外部的周边布线区域(包括栅线布线区域5和数据线布线区域9)、像素区域A内的数据线10和栅线11、短路环14、栅极数据线防静电电路6和线路图案(pattern on line, PLG)8。其中，像素区域A内的数据线10和栅线11分别与周边布线区域内的栅线布线区域5和数据线布线区域9的信号线连接。在显示面板100上还设置了共用电极布线7。短路环14和与其相连防静电电路6是用于防止显示面板制造过程中产生的静电而设置在显示面板的像素区域边缘的短路图形，其与本专利技术提出的利用在像素区域和周边布线区域之间设置的检测开关来对短路/断路进行检测的专利技术思想无关，在此不进行详细描述。为了使得本专利技术的显示面板能够进行开关式检测从而对显示面板100上的线路问题进行检测，在本专利技术第一实施例中的显示面板100上还设置了第一薄膜晶体管12、第三薄膜晶体管3、第四薄膜晶体管4。其中，第一薄膜晶体管12的栅极本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示面板，包括像素区域和周边布线区域，其特征在于，所述像素区域和周边布线区域之间设置有检测开关，所述检测开关与像素区域的栅线和/或数据线均一一对应，所述检测开关用于控制像素区域和周边布线区域的连接与断开。
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括像素区域和周边布线区域，其特征在于，所述像素区域和周边布线区域之间设置有检测开关，所述检测开关与像素区域的栅线和/或数据线均一一对应，所述检测开关用于控制像素区域和周边布线区域的连接与断开。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述检测开关包括第一薄膜晶体管，所述周边布线区域为栅线布线区域，所述第一薄膜晶体管的栅极与第一外接控制信号连接，所述第一薄膜晶体管的源极与所述栅线布线区域的信号线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述像素区域的栅线连接。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置在显示面板与第一薄膜晶体管相对的一侧的第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的栅极与评估指示信号端子连接，所述第三薄膜晶体管的源极与第三外接信号线连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与奇数行栅线连接；所述第四薄膜晶体管的栅极与评估指示信号端子连接，所述 第四薄膜晶体管的源极与第四外接信号线连接，所述第四薄膜晶体管的漏极与偶数行栅线连接。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述检测开关包括第二薄膜晶体管，所述周边布线区域为数据线布线区域，所述第二薄膜晶体管的栅极与第二外接控制信号线连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述数据线布线区的信号线连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述像素区域的数据线连接。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置在显示面板与所述第二薄膜晶体管相对的一侧的第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管的栅极与评估指示信号端子连接，所述第五薄膜晶体管的源极与所述第五外接信号线连接，所述第五薄膜晶体管的漏极与奇数行数...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵贤杰，李小和，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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