阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板，包括衬底基板，设置在衬底基板上的横纵交错的多根扫描线和多根数据线、以及均匀排列的多个亚像素区，相邻两行亚像素区作为一个像素行组，以形成沿纵向排列的多个像素行组，每个像素行组内的两行亚像素区之间和/或每两个相邻的像素行组之间设置有两根扫描线，所述两根扫描线部分重叠且相互绝缘；或者，相邻两列亚像素区作为一个像素列组，以形成沿横向排列的多个像素列组，每个像素列组内的两列亚像素区之间或每两个相邻的像素列组之间设置有两根数据线，所述两根数据线部分重叠且相互绝缘。相应地，提供一种包括所述阵列基板的显示装置。本发明专利技术所述阵列基板与现有技术的阵列基板相比，具有较高的开口率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板和包括所述阵列基板的显示装置。
技术介绍
液晶显示器因具有体积小、功耗低、辐射低等特点，已在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。在液晶显示器
中，TFT-1XD (Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、手机等领域。TFT-1XD —般由制作完成的阵列基板和彩膜基板对盒组装并灌注液晶而成，其一般采用行列矩阵驱动模式，如图1所示，通过设置在阵列基板上的扫描线(也称为栅线)和数据线依次为各行亚像素区内的薄膜晶体管充电，从而显示色彩，其中，每个亚像素区均包括一个薄膜晶体管，每行亚像素区中各薄膜晶体管的栅极均连接至同一扫描线，源极连接至不同的数据线，且每两行相邻的亚像素区之间均设置有一根扫描线；图1中，Ga η代表第η根扫描线，Dr η代表第η根数据线，η为大于I的正整数，M代表薄膜晶体管，Mll代表分别与第一根扫描线和第一根数据线相连的薄膜晶体管。·在TFT-LCD的各项参数中，开口率(aperture ratio，指的是每一个亚像素区中除去配线和薄膜晶体管后光线能够通过的部分的面积和该亚像素区整体的面积之间的比例)是影响屏幕亮度与功耗的重要因素，开口率越高，光透过率也越高，在相同背光源的条件下，屏幕的亮度就会越高，并且，在TFT-LCD中背光源的功耗占整个电源输出的60%左右，提高开口率可在满足屏幕亮度的前提下降低背光源的功耗，从而降低整个TFT-LCD的功耗。因此，如何在工艺条件许可的情况下进一步提高开口率成为行业内亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中所存在的上述缺陷，提供一种与现有技术相比具有较高开口率的阵列基板和包括所述阵列基板的显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案:所述阵列基板包括衬底基板，设置在衬底基板上的横纵交错的多根扫描线和多根数据线、以及均匀排列的多个亚像素区，每个亚像素区均包括一个薄膜晶体管，其中，相邻两行亚像素区作为一个像素行组，以形成沿纵向排列的多个像素行组，每个像素行组内的两行亚像素区之间和/或每两个相邻的像素行组之间设置有两根扫描线，所述两根扫描线分别与其相邻的两行亚像素区中的一行亚像素区内的薄膜晶体管的栅极电连接，所述两根扫描线部分重叠且相互绝缘，以减少其在衬底基板上所占空间；或者，相邻两列亚像素区作为一个像素列组，以形成沿横向排列的多个像素列组，每个像素列组内的两列亚像素区之间或每两个相邻的像素列组之间设置有两根数据线，所述两根数据线分别与其相邻的两列亚像素区中的一列亚像素区内的薄膜晶体管的源极电连接，所述两根数据线部分重叠且相互绝缘，以减少其在衬底基板上所占空间。优选地，每个像素行组内的两行亚像素区之间或每两个相邻的像素行组之间设置有两根扫描线，每一列亚像素区内的薄膜晶体管的源极均与同一数据线电连接。优选地，每个像素行组内的两行亚像素区之间和每两个相邻的像素行组之间均设置有两根扫描线，每个像素列组中的两列亚像素区之间设置有一根数据线，且该像素列组中的所有亚像素区内的薄膜晶体管的源极均与该数据线电连接。优选地，每个像素列组内的两列亚像素区之间或每两个相邻的像素列组之间设置有两根数据线，每一行亚像素区内的薄膜晶体管的栅极均与同一扫描线电连接。优选地，设置在每个像素行组内的两行亚像素区之间和/或每两个相邻的像素行组之间的两根扫描线分别为，与该两根扫描线相邻的两行亚像素区中的一行亚像素区内的所有薄膜晶体管的 栅极电连接的第一扫描线，和与该两根扫描线相邻的两行亚像素区中的另一行亚像素区内的所有薄膜晶体管的栅极电连接的第二扫描线；所述第一扫描线和其对应的薄膜晶体管的栅极位于同一层并采用相同的膜层形成；所述阵列基板还包括多个像素电极，每个像素电极均与一个薄膜晶体管的漏极电连接；所述多根数据线、多根扫描线及多个像素电极之间相互绝缘；所述第二扫描线包括重叠部和非重叠部，所述重叠部为第二扫描线中与第一扫描线重叠的部分，且所述重叠部和数据线或像素电极位于同一层并采用相同的膜层形成；所述非重叠部为第二扫描线中与第一扫描线非重叠的部分，所述非重叠部与第二扫描线对应的薄膜晶体管的栅极电连接，且所述非重叠部与第二扫描线对应的薄膜晶体管的栅极位于同一层并采用相同的膜层形成；所述第二扫描线中的重叠部与非重叠部电连接，以形成一根能够传输信号的连续的扫描线。优选地，所述重叠部和数据线位于同一层并采用相同的膜层形成，所述重叠部采用多个，每两个相邻的重叠部均位于一根数据线的两侧；所述非重叠部采用多个，每个非重叠部在衬底基板上的投影均与一根数据线在衬底基板上的投影相交，每个非重叠部均与第二扫描线对应的一个薄膜晶体管的栅极电连接；多个重叠部与多个非重叠部交替布置；所述第二扫描线中的各个重叠部分别与其相邻的非重叠部电连接。优选地，所述第二扫描线还包括多个延伸部，每个延伸部均为一个重叠部延伸至与其相邻的一个非重叠部重叠的部分，且所述延伸部的数量是非重叠部数量的两倍；所述阵列基板还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述第一扫描线及第二扫描线中的多个非重叠部，和第二扫描线中的多个延伸部及多个重叠部之间；所述栅极绝缘层上设置有多个过孔，每个过孔均与一个延伸部的位置相对应，以使得每个延伸部均通过过孔与一个非重叠部电连接，从而使得所述第二扫描线中的各个重叠部分别与其相邻的非重叠部电连接。优选地，所述第二扫描线还包括多个延伸部，每个延伸部均为一个重叠部延伸至与其相邻的一个非重叠部重叠的部分，且所述延伸部的数量是非重叠部数量的两倍；所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层；所述栅极绝缘层设置在所述第一扫描线及第二扫描线中的多个非重叠部，和第二扫描线中的多个延伸部及多个重叠部之间，且栅极绝缘层上设置有多个过孔，每个过孔均接近一个延伸部并与接近该延伸部的非重叠部的位置相对应；所述钝化层覆盖在栅极绝缘层、第二扫描线中的多个延伸部及多个重叠部上，所述钝化层上设置有多个第一过孔和多个第二过孔，每个第一过孔均与栅极绝缘层上的一个过孔的位置相对应，每个第二过孔均与一个延伸部的位置相对应；所述阵列基板还包括搭接层，所述搭接层与像素电极位于同一层并采用相同的膜层形成，且与像素电极相互绝缘；所述搭接层覆盖在钝化层上的所有第一过孔、第二过孔和栅极绝缘层上的所有过孔上，以使得每个延伸部均与一个非重叠部经所述搭接层电连接，从而使得第二扫描线中的各个重叠部分别与其相邻的非重叠部经所述搭接层电连接。优选地，所述第二扫描线还包括多个延伸部，每个延伸部均为一个重叠部延伸至与其相邻的一个非重叠部重叠的部分，且所述延伸部的数量是非重叠部数量的两倍；每个延伸部上均设置有一个过孔；所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层；所述栅极绝缘层设置在所述第一扫描线及第二扫描线中的多个非重叠部，和第二扫描线中的多个延伸部及多个重叠部之间，且栅极绝缘层上设置有多个过孔，每个过孔均与一个延伸部上的过孔的位置相对应；所述钝化层覆盖在栅极绝缘层、第二扫描线中的多个延伸部及多个重叠部上，所述钝化层上设置有多个过孔，每个过孔均与一个延伸部上的过孔的位置相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板，设置在衬底基板上的横纵交错的多根扫描线和多根数据线、以及均匀排列的多个亚像素区，每个亚像素区均包括一个薄膜晶体管，其特征在于，相邻两行亚像素区作为一个像素行组，以形成沿纵向排列的多个像素行组，每个像素行组内的两行亚像素区之间和/或每两个相邻的像素行组之间设置有两根扫描线，所述两根扫描线分别与其相邻的两行亚像素区中的一行亚像素区内的薄膜晶体管的栅极电连接，所述两根扫描线部分重叠且相互绝缘，以减少其在衬底基板上所占空间；或者，相邻两列亚像素区作为一个像素列组，以形成沿横向排列的多个像素列组，每个像素列组内的两列亚像素区之间或每两个相邻的像素列组之间设置有两根数据线，所述两根数据线分别与其相邻的两列亚像素区中的一列亚像素区内的薄膜晶体管的源极电连接，所述两根数据线部分重叠且相互绝缘，以减少其在衬底基板上所占空间。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底基板，设置在衬底基板上的横纵交错的多根扫描线和多根数据线、以及均匀排列的多个亚像素区，每个亚像素区均包括一个薄膜晶体管，其特征在于， 相邻两行亚像素区作为一个像素行组，以形成沿纵向排列的多个像素行组，每个像素行组内的两行亚像素区之间和/或每两个相邻的像素行组之间设置有两根扫描线，所述两根扫描线分别与其相邻的两行亚像素区中的一行亚像素区内的薄膜晶体管的栅极电连接，所述两根扫描线部分重叠且相互绝缘，以减少其在衬底基板上所占空间； 或者，相邻两列亚像素区作为一个像素列组，以形成沿横向排列的多个像素列组，每个像素列组内的两列亚像素区之间或每两个相邻的像素列组之间设置有两根数据线，所述两根数据线分别与其相邻的两列亚像素区中的一列亚像素区内的薄膜晶体管的源极电连接，所述两根数据线部分重叠且相互绝缘，以减少其在衬底基板上所占空间。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 每个像素行组内的两行亚像素区之间或每两个相邻的像素行组之间设置有两根扫描线，每一列亚像素区内的薄膜晶体管的源极均与同一数据线电连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 每个像素行组内的两行亚像素区之间和每两个相邻的像素行组之间均设置有两根扫描线，每个像素列组中的两列亚像素区之间设置有一根数据线，且该像素列组中的所有亚像素区内的薄膜晶体管的源极均与该数据线电连接。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 每个像素列组内的两列亚像素区之间或每两个相邻的像素列组之间设置有两根数据线，每一行亚像素区内的薄膜晶体管的栅极均与同一扫描线电连接。5.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，其特征在于， 设置在每个像素行组内的两行亚像素区之间和/或每两个相邻的像素行组之间的两根扫描线分别为，与该两根扫描线相邻的两行亚像素区中的一行亚像素区内的所有薄膜晶体管的栅极电连接的第一扫描线，和与该两根扫描线相邻的两行亚像素区中的另一行亚像素区内的所有薄膜晶体管的栅极电连接的第二扫描线； 所述第一扫描线和其对应的薄膜晶体管的栅极位于同一层并采用相同的膜层形成； 所述阵列基板还包括多个像素电极，每个像素电极均与一个薄膜晶体管的漏极电连接；所述多根数据线、多根扫描线及多个像素电极之间相互绝缘；所述第二扫描线包括重叠部和非重叠部，所述重叠部为第二扫描线中与第一扫描线重叠的部分，且所述重叠部和数据线或像素电极位于同一层并采用相同的膜层形成；所述非重叠部为第二扫描线中与第一扫描线非重叠的部分，所述非重叠部与第二扫描线对应的薄膜晶体管的栅极电连接，且所述非重叠部与第二扫描线对应的薄膜晶体管的栅极位于同一层并采用相同的膜层形成； 所述第二扫描线中的重叠部与非重叠部电连接，以形成一根能够传输信号的连续的扫描线。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于， 所述重叠部和数据线位于同一层并采用相同的膜层形成，所述重叠部采用多个，每两个相邻的重叠部均位于一根数据线的两侧；所述非重叠部采用多个，每个非重叠部在衬底基板上的投影均与一根数据线在衬底基板上的投影相交，每个非重叠部均与第二扫描线对应的一个薄膜晶体管的栅极电连接；多个重叠部与多个非重叠部交替布置；所述第二扫描线中的各个重叠部分别与其相邻的非重叠部电连接。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于， 所述第二扫描线还包括多个延伸部，每个延伸部均为一个重叠部延伸至与其相邻的一个非重叠部重叠的部分，且所述延伸部的数量是非重叠部数量的两倍； 所述阵列基板还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述第一扫描线及第二扫描线中的多个非重叠部，和第二扫描线中的多个延伸部及多个重叠部之间；所述栅极绝缘层上设置有多个过孔，每个过孔均与一个延伸部的位置相对应，以使得每个延伸部均通过过孔与一个非重叠部电连接，从而使得所述第二扫描线中的各个重叠部分别与其相邻的非重叠部电连接。8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于， 所述第二扫描线还包括多个延伸部，每个延伸部均为一个重叠部延伸至与其相邻的一个非重叠部重叠的部分，且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高山，李凡，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：